第六章 褂脞电接收器件.ppt

第六章 光接收器件;;机理：光照射将引起半导体中的电子和空穴增加，电子和 空穴的增加导致了电导率的增加。; 从这个式子中，我们可以看到，光电流产生的大小 与几个部分有关：1）外加电压大小；2）器件的参数：横截面和长度大小；3）器件材料，即其本身的性能有关 ; 光电导增益的大小与 1）载流子寿命 （正比） 2）载流子渡越时间（反比） ： 电极间距的平方 （正比）；迁 移率 （反比）;;３) 光谱响应 　　光敏器件对某个波长光辐射的响应度或灵敏度叫做单色 灵敏度或光谱灵敏度。而把光谱灵敏度随波长的关系曲线叫 做光谱响应或光谱特性。 ４) 量子效率 光敏器件的量子效率是指器件吸收辐射后，产生的光生 载流子数与入射辐射光子数之比 ;５) 光敏器件的噪声 　 当器件无光照时，输出电压或电流的均方值或均方 根值叫噪声。 ６) 噪声等效功率D 　　噪声等效功率（noise　equivalent　power，ＮＥＰ） 又称为等效噪声输入．它的值等于信噪比等于１时的入 射光功率的大小．它标志器件探测光辐射的极限水平． ７) 光敏器件的探测率 　　该特性也是光敏器件探测极限水平的表示形式，它 是噪声等效功率的倒数.;８) 光敏器件的归一化探测率 　　由于器件特性与其光敏面面积大小、检测电路的带宽等因素有关，为将光敏器件特性建立在统一比较的基础上，引入“归一化探测率”的概念，又称“比探测率”。 　　;它表示单位面积的器件，在放大器带宽为１Ｈｚ条件下的探测率。 的检测值与实际测量条件有关．所以在给出　 值的同时，一定要给出附加检测条件．例如：　　　　　 表示是以５００k黑体为目标，调制频率为８００ＨＺ，带宽为１ＨＺ的条件下所获得的值．;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.; 这两种器件是用于可见光和红外区域最广泛的光电导器件。CdS光敏电阻可在人视觉接近的范围内灵敏地工作，其线性度和温度特性都很好，但缺点是响应速度不快，约几十毫秒。 CdS常用于照相机或专门的测光表中。 而CdSe的响应与白炽灯或氖灯的光源的输出具有良好的匹配，线性度和温度特性都不太好，但其响应速度快，几个毫秒。所以CdSe光敏电阻常用作光电开关使用。; 此外，还有应用于低温环境下的，如：本征型半导体：HgCdTe ；掺杂型的： Ge：Au、Ge：Zn 、Si：Ga等。; 光电二极管和光电导器件都是利用内光电效应的光接收器件，所不同的是：光电二极管是利用PN结在光辐射作用下产生的光伏效应制成的。而光电导器件是利用光生载流子引起的电流变化作为了电信号附加在外部偏压上而被检测出来。 主要有光电池、光电二极管、光电三极管等。对于二极管而言，由于它利用的是PN结的内部电场，所以往往使用反向电压。; 一定温度下半导体中电子和空穴的热运动是不能引起载流子净位移，从而也就没有电流。但漂移和扩散可使载流子产生净位移，从而形成电流。 ; 迁移率μ（电子迁移率μn，空穴迁移率μp），μ的大小主要决定于晶格振动及杂质对载流子的散射作用。 ; 上图为光注入，非平衡载流子扩散示意图。光在受照表面很薄一层内即被吸收掉。受光部分将产生非平衡载流子，其浓度随离开表面距离x的增大而减小，因此非平衡载流子就要沿x方向从表面向体内扩散，使自己在晶格中重新达到均匀分布。 ;光注入，非平衡载流子扩散示意图; 扩散流面密度j与浓度梯度dN(x)/dx成正比： ; 在电场中多子、少子均作漂移运动，因多子数目远比少子多，所以漂移流主要是多子的贡献 。;电中性的P型半导体 电中性N型半导体; 当光照射光电二极管pn结部位时，只要入射光的能量 大于半导体禁带宽度时，就产生本征激发，激发便产生电子-空穴对，P区产生的光生空穴， N区产生的光生电子。由于受到pn结的阻挡作用，不能通过结区。而在内电场的作用下， P区中的电子驱向N区，空穴驱向P区。这样在P区就积累了多余的空穴， N区积累了多余的电子。从而产生了