模拟电路第3章节节—放大电路的基本原理与剖析方法.pptVIP

结论： （1）多子的浓度主要取决于掺入的杂质，受温度的影响很小； （2）少子的浓度虽然很低，但是它受温度的影响很大，少子浓度对温度的敏感性是致使半导体器件温度特性差的主要原因。 1、载流子的漂移运动和扩散运动 载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动，所形成的电流称为漂移电流。同一半导体中，自由电子和空穴形成的漂移电流方向一致，电场越强，漂移电流越大。 载流子因浓度差而进行的定向运动称为扩散运动，形成扩散电流。若没有外来的超量载流子注入或电场的作用，半导体内的载流子浓度逐渐趋于均匀直至扩散电流为零。 （1）uD0时PN结正向偏置， （2） uD0时PN结反向偏置， 当温度一定时，反向饱和电流是个常数IS。 2、模型分析法 1）折线近似法 （1）理想模型 （2）恒压降模型 （3）折线模型 3.2.3 基本应用电路 1、整流电路 2、限幅电路 3、开关电路 3.3.2 稳压管的基本应用电路 例３.５在图３.12所示的稳压电路中，Ui＝10V，R＝180Ω，RL＝１ｋΩ，稳压管的UZ＝6.8V，rZ＝２０Ω，IZ＝１０mA， IZmin＝５mA。试分析当Ui出现±１Ｖ的变化时， Uo的变化是多少？ 解得 　　 由此可算出： （１）当Ui＝（１０－１）Ｖ＝９Ｖ时， IZ＝5.95ｍＡ＞ IZmin　说明电路能够正常工作。 （２）当Ui ＝（１０＋１