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2017-05-20 发布于浙江
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CN201180064769-磁传感器-申请公开

SooPAT 磁传感器申请号：201180064769.4 申请日：2011-12-28 申请(专利权)人阿尔卑斯电气株式会社地址日本东京都发明(设计)人尾花雅之安藤秀人主分类号 G01R33/09(2006.01)I 分类号 G01R33/09(2006.01)I 公开(公告)号 103299202A 公开(公告)日 2013-09-11 专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人刘建注：本页蓝色字体部分可点击查询相关专利 (19)中华人民共和国国家知识产权局 *CN103299202A* *CN103299202A* (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 103299202 A (10)申请公布号 CN 103299202 A (43)申请公布日 2013.09.11 (21)申请号 201180064769.4 (74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司 11021 (22)申请日 2011.12.28 代理人刘建 (30)优先权数据 (51) Int.C l. 2011-004634 2011.01.13 JP G01R 33/09 (2006.01) 2011-048565 2011.03.07 JP H01L 43/08 (2006.01) (85)PCT申请进入国家阶段日 2013.07.11 (86)PCT申请的申请数据 PCT/JP2011/080363 2011.12.28 (87)PCT申请的公布数据 WO2012/096132 JA 2012.07.19 (71)申请人阿尔卑斯电气株式会社地址日本东京都 (72)发明人尾花雅之安藤秀人权利要求书3页说明书12页附图11页权利要求书3 页说明书12 页附图11 页 (54) 发明名称磁传感器 (57) 摘要本发明的目的在于，提供一种能够使强磁场抗性提高的磁传感器。本实施方式的磁传感器具有：多个元件部 (9) ；配置在各元件部的两侧的偏压层 (10) ；与各元件部及各偏压层非接触的软磁性体 (12)。元件部 (9) 的灵敏度轴向(P1) 及偏压层 (10) 的磁化方向为Y1-Y2 方向。各偏压层 (10) 构成为对元件部 (9) 沿着X1-X2 方向供给偏压磁场。各软磁性体构成为，在作用有X1-X2