307_325nm波长AlGaN基紫外光探测器.pdfVIP

《》2007 12 28 6 岑龙斌 等:　307 ～325 nm 波长AlGaN 基紫外光探测器 307～325nmAlGaN 岑龙斌, 桑立雯, 周绪荣, 秦志新, 张国义 ( , 100871) 　:　通过在GaN 缓冲层上先生长一层20 nm 厚的AlN 插入层, 成功地在此插入层上生 长出了200 nm 厚的Alx Ga1-x N (0 .22x0.28)材料。研究并优化了A lx Ga1-x N 材料上的Ti/ Al/Ni/Au 欧姆接 和Ni 基肖特基接 的形成条件。20 nm/150 nm/20 nm/200 nm 的Ti/Al/Ni/ Au 金属层在 N2 氛围中, 700 ℃下, 快速热退火处理 120 s 后, 其欧姆接 的比接 电阻率为 -5 2 x 1-x 3.13×10 Ψ·cm 。研究表明, 当Al Ga N 材料中Al 组分x0.20 时, 其上Ni 基肖特基势 垒高度几乎是不变的。在O2 氛围中, 300 ℃下, 对A lx Ga1-x N 材料上10 nm 厚的金属Ni 层氧化 90 s,得到了此Ni 层在314 nm 的透射率由57.5%提高到78.2%。在器件的光电流谱测量中,得到 3 了器件最短的截止波长为307 nm,紫外/可见光达到10 以上。 :　AlGaN;; :TN364.2 　:A 　:1001-5868(2007)06-0789-04 AlGaN-basedUltravioletDetectorwithCut-off avelength from307nmto325nm CEN Long-bin, SA NG Li-w n, ZHOU Xu-rong, QIN Zhi-xin, ZHANG Guo-yi (StateKeyLab.ofArtificialMicrostructureandMesoscopicPhysics, Schoolof Physics, PekingUniversity, Beijing100871, CHN) Abstract:　Follow d by d positing 20 nm wid AlN int rlay r on th GaN buff r, 200 nm wid Alx Ga1-x N (0.22x0.28)w as succ ssfully xt nd d .Th conditions of Ohmic contacts form d by Ti/Al/Ni/Au lay rs and Schottky contacts form d by Ni lay r w r r s arch d and optimiz d .Th Ohmic r sistanc of Ti/Al/Ni/Au (20 nm/150 nm/20 nm/200 nm )ann al d in th -5 2 N2 ambi nc , 700 ℃for 120 s is 3.13×10 Ψ·cm .It is d monstrat d that w h n th Al mol fraction of Alx Ga1-x N is mor than 0 .20, th Schottky Barri r H ight b tw n m tal Ni lay r and Alx Ga1-x N is almost th sam .Wh n 10 nm wid Ni d posit d on th Alx Ga1-x N is oxidat d in O2 ambi nc ,300 ℃for 90 s, th transmission co ffici nt incr as s from 57.5%to 78.2%at th w av l ngth of 314 nm .Cons qu ntly, Alx Ga1-x N-