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硅表面清洗对热氧化13nm SiO_2可靠性的影响
第 20 卷第 5 期 半 导 体 学 报 . 20, . 5
V o l N o
1999 年 5 月 , 1999
CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ay
硅表面清洗对热氧化 13nm
SiO 2 可靠性的影响
高文钰 刘忠立 和致经 于 芳 梁桂荣 李国花
( 中国科学院半导体研究所 北京 100083)
摘要 实验研究表明热生长 13nm 薄 SiO 2 的可靠性同氧化前硅表面清洗处理方法有很大关
系. 氧化前稀 H F 酸及 H F乙醇漂洗不会提高热氧化薄 SiO 的可靠性; 氧化前用N H OH
2 4
(0 05 ∶2 ∶5) 溶液清洗形成化学预氧化层对提高薄 可靠性很有效; 用
H 2O 2 H 2O SiO 2 H 2 SO 4
( )
H O 3 ∶1 溶液清洗形成预氧化层的改善作用也较明显, 在之前增加比例为 0 05 ∶2 ∶5 或 1
2 2
∶2 ∶5 的 溶液清洗和稀 酸漂洗效果更好. 另外, 薄栅介质抗电离辐射
N H 4OH H 2O 2 H 2O H F
性能和抗热电子损伤能力同氧化前形成化学预氧化层的清洗液种类关系不大, 电离辐射对薄
栅介质击穿特性的影响不明显.
EEACC: 2550E , 2530F
1 引言
当前, 集成电路已进入亚微米时代, 对应要求高可靠的M O S 薄栅介质. 许多研究表明,
当热 SiO 2 栅介质厚度减小到 10nm 左右或更低时, 热氧化前的表面清洗方法对介质可靠性
[ 1～ 6 ]
的影响变得十分明显 . 这是因为硅表面清洗过程中有 1～ 15nm 的自然氧化层形
成[ 7～ 9 ] , 栅介质越薄, 它所占的比例越大, 而且会影响其后生长在它上面的热氧化 SiO 2 质
量. 最早认为自然氧化层不利于高温下优质薄 SiO 2 生长, 并通过氧化前用稀H F 酸或H F 酸
[ 5, 6, 10 ] [ 4 ]
同有机溶剂混合液除去自然氧化层获得性能良好的SiO 2 , 但也有效果相反的报道 .
近来一些研究表明, 氧化前硅表面上有一层 05～ 15nm
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