电工学电子技术试题库.docVIP

电工电子技术试题库 单项选择题 1.硅稳压管的工作状态是(　　　) A.正向导通 B.正向击穿 C.反向截止 D.反向击穿 2.要得到N型杂质半导体，应在本征半导体硅或锗中掺入少量的（ ） A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素 3．下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是( ) A．仅自由电子是载流子 B．仅空穴是载流子 C．自由电子和空穴都是载流子 D．三价杂质离子也是载流子 4．理想运算放大器的两个基本特点是( ) A．虚地与虚断 B．虚短与虚地 C．虚短与虚断 D．断路与短路 5．在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（ ） A．P型半导体，其少子为自由电子 B．N型半导体，其多子为自由电子 C．P型半导体，其少子为空穴 D．N型半导体，其多子为空穴 ．理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压UO为（ ） A．3V B．0V C．-3V D．-V 7．关于三极管的结构特点，以下说法不正确的为（ ） A．基区很薄 B．基区掺杂浓度最高 C．发射区掺杂浓度最高 D．发射结的结面积小于集电结的结面积 ．测得某放大电路中的三极管，各管脚电位如题4图所示，则可判定该管为（ ） A．锗管①为b极 B．硅管③为c极 C．锗管②为e极 D．硅管③为b极 ．放大电路如题7图所示，该电路引入了交直流（ ） A．电流并联负反馈 电流串联负反馈 C电压并联负反馈 D．电压串联负反馈.理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压U0为( ) R A.-10V B.-4V C.+6V D.+10V 11.NPN型三极管处在放大状态时，各电极的电位关系是( ) A.E极电位最高，C极电位最低 B.E极电位最高，B极电位最低 C.C极电位最高，B极电位最低 D.C极电位最高，E极电位最低 12.若要求放大电路输入电阻高，且稳定输出电压，在放大电路中应引入的负反馈组态为( ) A.电流串联 B.电流并联 C.电压串联 D.电压并联 13.要降低放大电路输入电阻，可引入(　　　) A.电压负反馈 B.电流负反馈 C.串联负反馈 D.并联负反馈 14.共射极放大电路直流负载线由(　　　) A.电流放大系数β确定 B.基极电阻Rb与电源Ucc确定 C.集电极电阻Rc与电源Ucc确定 D.负载电阻RL确定 15.函数等价于(　　　) A.Y=ABC B. C.Y=AB+C D. 16.下列与F=A+B+C相等的逻辑函数为( ) A.F= B.F= C.F= D.F= 17．下列逻辑式中，正确的逻辑公式是( ) A． B． C． D． 18.逻辑表达式与下列式子中的哪一个相等 (　　　) A. B. C. D. 19．逻辑符号如下图所示，其中表示“与非”门的是( ) 20．在以下输入情况中，“或非”运算的结果为逻辑1的是( ) A．全部输入为0 B．全部输入为1 C．任一输入是0，其它输入为1 D．任一输入是1，其它输入为0 21．主从型JK触发器，当J=K=0时，则CP脉冲来到后JK触发器的次状态Qn+1为( ) A．0 B．1 C．Qn D． 22．题l2图为同步RS触发器，已知SD=RD=l。在CP=1期，当S=1，R=0时，触发器输出状态Qn+1为（ ） A．1 B．0 C．Qn D．不定.由主从JK触发器构成的电路如题15图所示，可知该电路实现的功能为( ) A.保持 B.置0 C.置1 D.计数 24.把JK触发器的J与K都接到高电平上，则其特性方程变为(　　　) A.Qn+1=Qn B.Qn+l= C.Qn+1=1 D.Qn+1=0 25.在CP有效的情况下，当输入端D=0时，则D触发器的输出端Qn+1=(　　　) A.0 B.1 C.Qn D. 二、填空题。 1.在P型半导体中，_______是少数载流子。 2.半导体二极管的最大反向电流IRM越大，说明管子的_________性能越差。 3.PNP型晶体三极管，发射结正向偏置时，应是基极电位比发射极电位_________。 4．晶体二极管的主要特性是正偏导通，反偏________。 5．若测得某双极型晶体管基极电流IB=10μA，集电极电流IC=1mA，则晶体管的电流放大倍数β=________。 6．理想运算放大器可分为两个工作区，它们是________。 7．已知某放大状态的晶体管=99，IE=1mA，则IB=__________mA。8.引入电压负反馈可以稳定放大电路的_______。 9.理想集成运放开环电压增益Auo=_______。 10.组合逻辑电路的输