半导体照明技术：第六章 半导体照明光源的发展和特征参量.pptVIP

第六章 半导体照明光源的发展和特征参量 6.2 发光二极管材料生长方法 6.3.3 分布布拉格反射（DBR）结构 AlGaInP采用的GaAs衬底是吸光材料；InGaN采用的Si衬底也是吸光材料，造成光效的损失。 6.3.3 分布布拉格反射（DBR）结构 6.3.3 分布布拉格反射（DBR）结构 6.3.4 透明衬底技术 透明衬底技术可有效的提高光输出，AlGaInP LED在636nm时获得23.7%的外量子效率 6.3.5 镜面衬底 镜面衬底技术：将芯片倒装或转移到另一表面镀有高反射界面的衬底上，以提高出光 电流扩展层 电流扩展层 P型层电阻较高，电极的电流注入无法均匀的扩散到整个芯片平面，造成所谓电流拥挤效应。 实用的大功率LED芯片基本都须要采用电流扩展层。AlGaInP采用GaP或AlGaAs电流扩展层, InGaN采用Ni/Au或ITO扩展层。 电流扩展层的使用，可以使LED发光有效增强。 优化电极形状 电极形状的设计应满足两个要求：电极表面积要尽量小；电极应该使电流能均匀扩散到整个芯片的平面。后者对于大功率芯片尤其重要。 优化电极形状 优化电极形状 6.3.7 表面纹理结构 由于芯片表面存在全反射界面，LED的卒取效率不到20% 表面纹理技术就是通过破坏表面的全反射界面，来提高卒取效率的一种方法 包括表面粗化和表面光子晶体两种方式。 6.3.7 表面纹理结构 6.4.5 寿命 对于单色光LED或白光LED（不考虑色温时）可根据不同应用要求，取光通量衰减到初始值的50％或70％作为失效判据。 Pt = P0 exp(-βt) P0为初始光通量(或光功率)；Pt为加温加电后对应某一工作时间的光通量（或光功率）；β为某一结温下的退化系数；t为某一产品的试验截止时间。 6.4.7 热阻 热阻的物理定义是沿热传导路径上的温差与该热传导路径上的耗散的功率的比值，用公式表示为： A和B分别代表传热路径中的高温节点和低温节点。对于LED来说，A节点是指芯片的结区，而B节点则是根据不同的定义取定的参考点。 6.4.7 热阻 6.4.8 抗静电性能 InGaN LED最常用的衬底是绝缘的蓝宝石，电荷的积累形成静电放电而损坏芯片。 InGaN LED的抗静电特性(electrostatic discharge,ESD)在100~2000V间 目前，最高的ESD可以达到4000V 在制造、测量、安装、储存和使用 过程中应注意防静电。 LED防静电 LED产品在加工生产的过程中要采取防静电措施，如：工作台要接地，工人要穿防静电服装，带防静电环，以及带防静电手套等，有条件的可以安装防静电离子风机，进入生产车间人员做人体静电综合测试等，同时要保证生产车间的湿度在65% 左右，以免空气过于干燥产生静电，尤其是绿色LED容易被静电损坏。另外，不同质量档次的LED抗静电能力也不一样，质量档次高的LED抗静电能力要强一些。据统计，由于操作不当，LED产品有30%被静电损坏。 练习 在LED的某一老化的实验中，获得以下的数值，请估算一下此LED在这个老化实验中的寿命 * 解决衬底吸光问题的一个方法是采用分布布拉格反射（Distributed Bragg Reflector, DBR）结构 越大，反射率就越高，须要的DBR层数就越少 采用14.5对的 Al0.82In0.18N/GaN DBR结构，InGaN LED的发光提高了3.6倍 *phys. stat. sol. (c) 5, No. 6, 2086–2088 (2008) Appl. Phys. Lett., Vol. 78, 3379-3381， 2001 435nm外量子效率：21% 出光提到了122% APPLIED PHYSICS LETTERS 100, 241112 (2012) *摘自卫静婷博士论文 *摘自卫静婷博士论文 优化的电极形状不仅可以降低工作电压，还可以保证LED芯片平面发光的均匀性，并提高总体出光 *摘自卫静婷博士论文 Appl.Phys.Lett. 86 ,052108(2005) Proc. SPIE 5941, 2005，59410M 50%-200% complicated Precise lattice constant regular Photonic crystals 10%-100% Relative flexible From nano to micron random Surface roughening Power increase Fabrication Texturing scale pattern Surface morphology 粗化一般通过干法或湿法腐蚀的方