硅的霍尔系数及电阻率的测量实验报告.pdfVIP

北京大学近代物理实验I 物理学院 王正 1200011357 实验题目 硅的霍尔系数及电阻率测量 姓 名 王正 院系 物理学院 学号:1200011357 本实验通过在不同温度条件下对高阻p型Si的霍尔系数和电阻率的测 量，了解半导体内存在本征导电和杂志导电两种导电机构；晶格散射和杂志 散射两种散射机构；并且确定禁带宽度E 、净杂质浓度N 、载流子浓度p g A 和n及迁移率μ等基本参数。 关键词：霍尔效应, 霍尔系数, 电导率, Ⅰ. 引 言 研究论文引言一般包含以下内容：（1）所研究领域背景和现状；（2）有待 研究的问题；（3）本研究的物理目的、主要内容和结果；（6）结果的意义. 霍尔效应是有关材料中的载流子在电场和磁场作用下所产生的效应。1879 年霍尔在研究带点导体在磁场中受力性质时发现了这种效应。后来发现半导体中 的霍尔效应比金属大几个数量级。20世纪的前半个世纪，它的研究一直推动着固 体导电理论的发展，特别在半导体电子论的发展中起着尤为重要的作用。霍尔系 数和电导率测量是分析半导体纯度及杂志种类的一种有力手段，在半导体测量技 术中占有重要的地位。通过在不同温度条件下对霍尔系数和电导率的联合测量， 不仅可以根据霍尔系数的符号确定载流子的类型，同时可以得到半导体的多种电 学参数，利用这些参数在理论上可以分析和研究半导体的导电特性和机理，在实 践中有利于半导体材料的生长和器件性能的提高。 本实验目的是通过在不同温度条件下对高阻p型Si的霍尔系数和电阻率的 测量，了解半导体的各项物理性质以及确定其基本参数。根据这项实验方法，可 -1- 北京大学近代物理实验I 物理学院 王正 1200011357 以对各类半导体材料进行类似实验，确定其性质，为材料的利用奠定基础。 Ⅱ. 实 验 A.实验原理 1. 电导率σ与温度的关系  电导率 随温度的变化关系如图1所示 曲线可分为三个区域： 1区域为杂志部分电离的低温区。在这个区域内不仅由于杂质电离产生的 载流子随温度升高而增加，而且迁移率在低温下主要取决于杂质散射，它也  随温度升高而增加，因此在此区域内电导率 随着温度的升高而增加。 2 区域为杂质电离饱和的温度区。在这区域内杂质已经全部电离，但本征 p 激发尚不明显，所以载流子浓度基本不变。这时在 型半导体中空穴浓度 、 p 杂质电离产生的空穴浓度 与受主杂质浓度 相等，即有 。这 ps NA p p Ns A  时晶格散射起主要作用，迁移率μ随温度升高而下降，导致电导率 随温度 升高而下降。300K温度下，p 型硅的电导率取决于晶格散射的空穴迁移率 2 ，通过电导率的测量可以求得守住杂质浓度 和 . ( ) 480cm /(Vs) N p Lp 300 A s