第十三章非晶态半导体选读.pdfVIP

第十三章 非晶态半导体 第十三章Part 1 第十三章Part 1 13.1 非晶态半导体的分类 13.2 非晶态半导体的电子结构 13.3 非晶态半导体中的缺陷 13.4 非晶态半导体的应用 绪 论 50年代科洛米耶茨等人开始了对硫系玻璃的研究，但直到1968 年奥弗申斯基关于硫系薄膜制作开关器件的专利发表以后，才引起 人们对非晶态半导体的兴趣。 1975年斯皮尔等人在硅烷辉光放电分解制备的非晶硅中实现了 掺杂效应，使控制电导和制造PN结成为可能，从而为非晶硅材料的 应用开辟了广阔的前景。 在理论方面，安德森和莫脱建立了非晶态半导体的电子理论。 1977年以他们在非晶态理论方面的贡献而获得诺贝尔物理学奖 非晶态半导体的分类 非晶态半导体的分类 目前研究最多的非晶态半导体有两大类： 硫系玻璃非晶态半导体 四面体键非晶态半导体 1、硫系玻璃非晶半导体 含硫族元素的非晶态半导体。例如S、Se、Te 等，它们通 常以玻璃态形式