半导体器件失效分析与检测.pdf

维普资讯 ～ 第 l2期 仪裹术／与传感器 i一 p } ≯‘ p 电 半导体器件失效分析与检测 1埽 ^ 挝 鸣 一 深圳市深爱半导体会司 广东省深圳市 518054 摘【要l末文对半导体器件的失效做1详尽分析，并介绍了几种 叙词鋈：半——导———、器件件失失效分析检检测测袄嚷枪f、I —，一 ，———一 1 FailureAnalysisandTestingofSemiconductorDevices FuM ing ShenzhenSheaiSemiconduetorCorporation，Shenzhen518054，Guangdong Abstract：Thefailure0fsemiconductorDevicesisanalyzed in detailin thispa— perandseveraltestingmethodsmostinuseforfailurearepresented． KeyW ords：Sem~conductor，Device，FailureAnalysis，Testing 一 、 引 言 二、半导体器件失效分析 失效分析是研究产品失效机理、提高产 半导体器件失效的因素很多，这里着重 品成品率和可靠性的重要技术措施。 就金属化及材料晶体缺陷对器件失效所引起 下图为元器件生产过程中失效分析机构 作用加以分析。 图。由图不难看出，失效分析工作者要从不 1．金属化与器件失效 同渠道收集失效榈，解剖分析．搞清讥理，给 环境应力对半导体器件或集成电路可靠 出数据，然后对元器件设计、材料和工艺提出 性的影响很大。金属化及其键合处就是一个 改进的措旌或方案，再经质量管理部门认可 不容忽视的失效源 迄今，大多数半导体器 并及时反馈到生产线，以提高产品质量水平。 件平面工艺都采用二氧化硅作为掩膜钝化 层。为在芯片上实现互连，往往在开窗 口的 二氧化硅层上淀积铝膜即金属化。 从物理 、化学角度分析，金属化失效机理 大体包括膜层张力、内聚力、机械疲劳、退火 效应、杂质效应及电迁移等。 2．键合与器件失效 1 1