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实验九 硅光电池特性的研究 光电池是一种很重要的光电探测元件，它不需要外加电源而能直接把光能转换成电 能．光电池的种类很多，常见的有硒，锗，硅，砷化镓等．其中最受重视的是硅光电池， 因为它有一系列优点：性能稳定，光谱范围宽，频率特性好，转换效率高，能耐高温辐射 等．同时，硅光电池的光谱灵敏度与人眼的灵敏度较为接近，所以很多分析仪器和测量仪 器常用到它．本实验仅对硅光电池的基本特性和简单应用作初步的了解和研究． 【实验目的】 1 ．研究硅光电池的主要参数和基本特性； 2 ．利用硅光电池设计一项具体应用． 【实验原理】 1 ．硅光电池的照度特性 硅光电池是属于一种有 PN 结的单结光电池．它由半导体硅中渗入一定的微量杂质而 制成．当光照射在 PN 结上时，由光子所产生的电子与空穴将分别向 P 区和N 区集结，使 PN 结两端产生光生电动势．这一现象称为光伏效应． （1）硅光电池的短路电流与照度关系 当光照射硅光电池时，将产生一个由N 区流向P区的光生电流IPh ，同时由于PN结二极管 的特性，存在正向二极管管电流ID ，此电流方向从P区到N 区，与光生电流相反，因此实际 获得电流I 为 ⎡ ⎛ qV ⎞⎟ ⎤ I I I =− I I − ⎢exp⎜ − 1 ⎥ （1） Ph D Ph 0 ⎜ ⎟ k T ⎢ ⎝ n B ⎠ ⎥ ⎣ ⎦ 式中V为结电压，I0为二极管反向饱和电流，I Ph是与入射光的强度成正比的光生电流，其比 例系数与负载电阻大小以及硅光电池的结构和材料特性有关．n为理想系数是表示PN结特 性的参数，通常在 1-2 之间，q为电子电荷，kBB 为波尔茨曼常数，T为绝对温度．在一定照 度下，当光电池被短路（负载电阻为零），V = 0 ，由（1）式可得到短路电流 I I （2 ） SC Ph 硅光电池短路电流与照度特性见图 1． （2 ）硅光电池的开路电压与照度关系 当硅光电池的输出端开路时，I = 0 ， 由（1）与（2 ）式可得开路电压 nk T ⎛ I ⎞ V ln B 1 ⎜ SC + ⎟ （3 ） OC ⎜ ⎟ q ⎝ I 0 ⎠ - 47 - 图 1 硅光电池的光照特性曲线 硅光电池开路电压与照度特性见图 1． 2 ．硅光电池的伏安特性 当硅光电池接上负载R 时，硅光电池可以工作在反向偏置电压状态或无偏压状态．它 的伏安特性见图2 ．图中可见，硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： （1）反偏工作状态，光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）； （2 ）无偏工作状态，光电二极管的光电流随负载电阻变化很大． 图2 硅光电池的伏安特性曲线 由图2 可看到，在一定光照下，负载曲线在电流轴上的截距是短路电流IPh ，在电压轴上的 截距即为开路电压V ． OC 3 ．硅光电池的光谱响应． 图 3 为硅光电池的光谱特性曲线．即相对灵敏度Kr 和入射光波长λ 的关系曲线．从图 4 中