功率半导体器件(LDMOSVDMOS)技术总结.pdfVIP

东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 PIC 器件组 关于功率 MOSFET （VDMOS LDMOS ）的报告 时间日期：2009.11.12 报告完成人：祝 靖 1．报告概况与思路 报告目的：让研一新同学从广度认识功率器件、了解功率器件的工作原理，起到一个启蒙的作用，重 点在“面”，更深层次的知识需要自己完善充实。 报告内容：1）从耐压结构入手，说明耐压原理； 2 ）从普通MOS 结构到功率 MOS 结构的发展；（功率 MOS 其实就是普通 MOS 结构和耐 压结构的结合）； 3 ）纵向功率MOS （VDMOS ）的工作原理； 4 ）横向功率MOS （LDMOS ）的工作原理； 5 ）功率MOSFET 中的其它关键内容；（LDMOS 和 VDMOS 共有的，如输出特性曲线） 报告方式： 口头兼顾板书，点到即止，如遇到问题、疑惑之处或感兴趣的地方，可以随时打断提问。 2 ．耐压结构（硅半导体材料） 目前在我们的研究学习中涉及到的常见耐压结构主要有两种：①反向 PN 结 ②超结结构(包括 RESURF 结构) ； 2.1 反向 PN 结（以突变结为例） 图2.1 所示的是普通 PN 结的耐压原理示意图，当这个 PN 结工作在一定的反向电压下，在 PN 结内部 就会产生耗尽层，P 区一侧失去空穴会剩下固定不动的负电中心，N 区一侧会失去电子留下固定不动的正 电中心，并且正电中心所带的总电量＝负电中心所带的总电量，如图2.1a 所示，A 区就是所谓耗尽区。 图 2.1b 所示的是耗尽区中的电场分布情况（需熟悉了解），耗尽区以外的电场强度为零，Em 称为峰 值电场长度（它的位置在 PN 结交界处，原因可以从高斯原理说明），阴影部分的面积就是此时所加在 PN 结两端的电压大小。从以上的分析我们可以称这个结构的耐压部分为 P 区和N 区共同耐压。图 2.2 所示的 是 P+N 结的情况，耐压原理和图 1 中的相同，但是在这种情况中我们常说N 负区是耐压区域(常说的漂移 区) ，耐压大小由 N 区的浓度决定。 A P N 0 U (a) |E| |Em| U 0 (b) 图2.1 普通 PN 结耐压示意图 （N 浓度＝P 浓度） 图2.2 P ＋N 结耐压示意图 （N 浓度P 浓度） 图2.3 所示的是反向电压变化情况下的耗尽层内部的电场强度的变化情况，随着N 一侧的电压的上升， 耗尽层在展宽（对于 P+N-结来说，耗尽层展宽的区域为 N 区一侧，也就是耐压区一侧），峰值电场强度 Em 的值也在不断升高，但是当 Em=Ec 时，PN 结发生击穿，Ec 称为临界电场强度，此时加在 PN 结两端 的电压大小就是击穿电压（BV ）。不同材料的临界电场不同 （如表2.1 所示），同种材料不同浓度的临界电 场也不同，但是对于硅材料来说，在我们目前关系的浓度范围之内，浓度变化对电场强度的影响不大，因 10/14/2009 1 - of 9 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心