TTL门电路简单小结.docVIP

以基集b和发射极e之间的发射结作为输入回路。 以集电极c和发射极e之间的回路作为输出回路。 VON为开启电压。硅三极管的开启电压VON为0.5~0.7V，锗三极管的开启电压VON为0.2~0.3V。 VBE为输入电压，iB为输入电流。 VCE为输出电压，iC为输出电流。 集电极电流iC不仅受VCE 影响，还受基极电流iB影响。 输出特性曲线分三个区： 1、曲线右边的水平部分为放大区（线性区）， 特点是：iC随iB成正比变化，几乎不受VCE变化的影响。 2、靠近纵轴部分为饱和区， 特点是：iC不随iB贝塔的比例增加，而是趋向饱和。硅三极管饱和区的VCE值约为0.6~0.7V，深度饱和状态下的饱和压降在0.2V以下。 3、iB的一条输出特性曲线以下的区域为截至区。 截止区特点是iC几乎为0. 双极型三极管的基本开关电路 当VI=0，或者VIVON时，三极管截止状态，输出电压为高电平VOH.。 当VIVON时，三极管导通状态，输出电压为低电平VOL. 硅三极管的深度饱和压降为0.3V， VCE（sat）饱和导通压降。RCE（sat）饱和导通内阻。 锗三极管的深度饱和压降为0.1V 综上述，保证 当VI=VIL时VBEVON，三极管工作在截止状态；相当于开关断开,在开关电路输出端VO=VOH输出高电平； VI=VIH时iBIBS，三极管工作在深度饱和状态，相当于开关接通,在开关电路的输出端VO=VOL输出低电平。 则Y=Aˊ 则三极管的c-e间就相当于一个受VI控制的开关。 晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置,且集电节反向偏置. PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄. (幻灯片第114张和115张不明白). 稳压管的稳压区是其工作在 反向击穿. β=⊿iC/⊿iB , β是交流电流的放大系数。α=β/(1+β) 当三极管截止时,发射结反偏, iC=0,相当于开关断开; 当三极管饱和时,发射结正偏,VCE= VCE（sat）≈0.相当于开关闭合. 1.3 A~B段： 截止区：VI0.6V, V B11.3V T1导通，T2，T5截止，T4导通→VOH=VCC—VR2—VBE4—VD2=3.4V。 B~C段： 线性区：0.7VVI1.3V T2导通且工作在放大区，T5截止，T4导通，VI↑=VO↓ C~D段： 转折区: 4、D~E段： 饱和区：VI继续↑， 而VO不变，VO= VOL。 TTL门店里的输入端噪声容限参数 VOH（min)=2.4V, VOL（max)=0.4V, VIH（min)=2.0V, VIL（max)=0.8V, VNH=0.4V, VNL=0.4V TTL门电路的输入特性: 输出特性: 高电平输出: 输出为VO＝VOH时，T4、D2导通， T5截止. 74系列最大为 IOH（max）＝－0.4mA. 低电平输出: 输出为VO＝VOL时，T4、D2截止， T5导通. VOL基本呈线性关系. 扇出系数计算: 扇出系数就是一个门电路驱动同类型门电路的个数。也就是表示门电路的带负载能力。 当输出低电平时:设有N1个非门,则有 当输出为高电平时,设可带N2个非门,则有 则取N=min{N1 , N2} TTl反相器输入端的负载特性曲线： 故一般对于TTL门电路，若输入端通过电阻接地， 当RP≤0.7KΩ时，构成低电平输入方式； 当RP≥1.5KΩ时，构成高电平输入方式。 其他类型的TTL与非门 若输入端接低电平时，输入电流的计算和反相器相同。 输入端接高电平，T1的两个发射结反偏， 故输入电流为单个输入端高电平输入电流的2倍。 输出为高电平时，可以带N1个同类逻辑门，则2N1*IIH≤IOH。 输出为低电平时，可以带N2个逻辑门，则N2*IIL≤IOL N为驱动个数 或非门 与或非门 异或门 Y=A⊕B 注释：与门和或门是在与非门和或非门的基础上加了一级反相器构成。 ＯＣ门 ＯＣ门的与非门电路图和符号示意图 与非门符号 ＯＣ门的与或非门Ｙ＝（ＡＢ＋ＣＤ）＇ 外界负载电阻ＲＬ的计算 ａ：驱动输出为高电平时　 　　　　　　 其中n－驱动管的个数， m－负载管输入端的个数，IＯＨ－每个OC门T5管截止时的漏电流；IＩＨ－负载门每个输入端的高电平输入电流。 ｂ：驱动输出为低电平时 m￠－负载管短路电流的个数；IＯＬ－OC门T5管导通时的电流；IＩＬ－负载门每个输入端的短路输入电流。 ＴＴL门电路上拉电阻计算ＲＬ（min） ＴＴＬ门电路中，当输入端并联时： （一个负载门可能有ｎ个输入端） 当电路为与非门时， 低电平输入，ｍ＇＝负载门的个数，而不是输入端的个数。 高电平输入时ｍ＇＝输入端的个数。 当电路为或非门时，低电平输入，高电平输入