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模电课件 13四章 场效应管
模电课件 * 4.3 场效应管放大电路 三种组态 D G S 共源CS组态 S G D 共漏CD组态 G S D 共栅CG组态 (a) 自偏压共源放大电路 S D G C1 RS CS Rs RG RD ED C2 RL + uo - + uS - D S RS CS Rs G C1 R2 RD ED C2 RL + uo - + uS - R1 R3 (b) 分压式自偏压共源放大电路 4.3.1 共源放大器 1.FET的直流偏置及静态分析 (a) 自偏压共源放大电路 S D G C1 RS CS Rs RG RD ED C2 RL + uo - + uS - S D G RS RG RD ED + US - ID IG=0 IG = - US = - IDRS UGS=UG - US URG=0即UG=0。 + URG - UGS与UDS极性相反,(即UGS为负偏压),所以,自给偏压电路只适用于JFET和耗尽型MOSFET UGS= - IDRS 自给偏压电路不适用于增强MOS型管 漏源电压为 UDS=ED-ID(RD+RS) US =IS RS ↑→ UGS = -IS RS ↓ →ID ↓ T↑→ ID ↑→ RS稳定工作点 RS↑→稳定 ↑ uGS iD (2)分压式自偏压电路 D S RS CS Rs G C1 R2 RD ED C2 RL + uo - + uS - R1 R3 RS↑→稳定性 ↑ RS↑→ ID ↓ UGS=UG - US ED D S RS G R2 RD R1 R3 UG + URS - gm↓ → Au ↓ 适用于JFET和耗尽型MOSFET,又适合于增强型MOSFET UDS=ED-ID(RD+RS) ID IG 例4.3.电路如图所示,R1=2MΩ,R2=47kΩ,R3=10 MΩ,RD=30kΩ,RS=2 kΩ,ED=18V,FET的UGS(off)= -1V,IDSS=0.5mA,试确定Q点。 ED D S RS G R2 RD R1 R3 UG ID UDS=ED-ID(RD+RS) 解出ID1=1.59mA ID2=0.3 mA IDSS=0.5mA 不合理舍去 故ID= =8.1V 作业:P166 4.5 4.6 UDS=UDD-ID RS 2.应用小信号模型法分析FET放大电路 (1)FET的小信号模型 G D G S D S rds gmugs S + uds - + ugs - FET低频小信号线性模型 ig id 当FET工作在高频段时, D G S D S rds gmugs S + uds - + ugs - Cgd Cgs Cds Cgd G Cgs Cds FET高频小信号线性模型 RL + uo - (2)CS放大电路的动态分析 D S RS CS Rs G C1 R2 RD ED C2 RL + uo - + uS - R1 R3 G D rds gmugs S S + ugs - ig id R1 R2 R3 Rs + uS - RD ii io + ui - RL + uo - G D rds gmugs S S + ugs - ig id R1 R2 R3 Rs + uS - RD ii io + ui - (1)电压增益 RL= RD// RL 当rds RL时 输出输入电压反相 (2)电流增益 RL + uo - G D rds gmugs S S + ugs - ig id R1 R2 R3 Rs + uS - RD ii io + ui - 令RG= R3+ R1// R2 Au io (3)输入电阻 RL + uo - G D rds gmugs S S + ugs - ig id R1 R2 R3 Rs + uS - RD ii io + ui - Ri=RG= R3+ R1// R2 Ri (4)源电压增益 (5)输出电阻 ugs=0 gmugs=0 + ugs - Ro *
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