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模电课件 14mp第四章 场效应管
模电课件 * 4.4 MOS模拟集成电路基础 4．4．1 MOS模拟集成基本单元电路 1．MOS恒流源 IR r o Io ED T1 T2 T3 EC R IR T1 T2 + UBEQ - 接放大器 r o IC2 IB2 IB1 2IB IC1 λ相当于BJT的厄利电压，λ的单位是1/V，典型值为0．01/V～0．02/V W/L为沟道宽度与长度之比 输出电阻ro=rds2 （1）镜像恒流源 ED IR T1 T T2 Io1 (2) MOS比例恒流源 T3 Io2 EC R IR T1 T2 IC2 T3 IC3 T4 IC4 Tn IC(n+1) (n+1)IB IB2 IB1 IB3 IB4 IBn R1 EC R IR T1 T2 接放大器 R2 UB IE1 IE2 IC2 (3)MOS威尔逊恒流源 T1 T3 Io IR T T2 EC R IR IC2 IC1 T1 T2 IC2 IB3 IC2 T2 T3 + UBEQ - + UBEQ - IC3 IB3 IB1 2IB3 IE2 ro≈gm2 rds2 rds1 4．16 填空题 1．场效应管(FET)依靠( )控制漏极电流iD，故称为( )控制器件。 电压 电压 2．FET工作于放大区，又称为( )区或( )区。此时iD主要受( )电压控制，而iD几乎不随( )电压的改变而变化。 恒流 饱和 栅源u GS 漏源u DS 3．N沟道FET放大偏置时，沟道电流iD的方向是从( )极到( )极；P沟道FET放大偏置时，iD的方向是从( )极到( )极 漏D 源S 源S 漏D 4．沟道预夹断是指沟道在( )位置刚好消失的状态。此时，uDS与uGS满足的关系式称为( )方程。 漏D u DS = u GS- U GS(off) 5．FET的小信号跨导定义为gm=( )，对于耗尽型管gm≈( )或( )；对于增强型管gm≈( ) P145 截止区u GS U GS(th) 0 改为 P145 截止区u GS U GS(th) ，U GS(th) 0 *
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