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【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料 】
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
SOT-23
SS8050 TRANSISTOR (NPN)
1. BASE
FEATURES
2. EMITTER
Complimentary to SS8550 3. COLLECTOR
MARKING: Y1
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Unit
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collector Current -Continuous 1.5 A
PC Collector Power Dissipation 0.3 W
Tj Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature -55-150 ℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Sy
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