动手用单片机控制5V继电器.docVIP

用单片机控制继电器 这里继电器由相应的S8050三极管来驱动，开机时，单片机初始化后的P2.3/P2.4为高电平，＋5伏电源通过电阻使三极管导通，所以开机后继电器始终处于吸合状态，如果我们在程序中给单片机一条：CLR P2.3或者CLR P2.4的指令的话，相应三极管的基极就会被拉低到零伏左右，使相应的三极管截至，继电器就会断电释放，每个继电器都有一个常开转常闭的接点，便于在其他电路中使用，继电器线圈两端反相并联的二极管是起到吸收反向电动势的功能，保护相应的驱动三极管51单片机驱动继电器电路 基本电路如右图。 单片机的IO口输出电流很小4到20mA，所以要用三极管放大来驱动继电器。 主要技术参数 触点参数：触点形式：1C（SPDT）触点负载： 3A 220V AC/30V DC阻 抗： ≤100mΩ额定电流： 3A电气寿命：≥10万次机械寿命：≥1000万次 线圈参数：阻值(士10%)： 120Ω 线圈功耗：0.2W 额定电压：DC 5V 吸合电压：DC 3.75V 释放电压：DC 0.5V 工作温度：-25℃～+70℃ 绝缘电阻：≥100MΩ 型 号 ： HK4100F-DC5V-SH线圈与触点间耐压：4000VAC/1分钟 触点与触点间耐压：750VAC/1分钟 继电器工作吸合电流为0.2W/5V=40mA或5V/120Ω≈40mA。 三极管基极电流：继电器的吸合电流/放大倍数=基极电流(40mA/100 =4mA)，为工作稳定，实际基极电流应为计算值的2倍以上。 基极电阻：（5V-0.7V）/基极电流=电阻值(4.7V/8mA =3.3KΩ)。 这里单片机IO口输出高电平触发三极管导通。经过以上的分析计算得出：三极管可用极性是NPN的9014或8050，电阻选3.3K AT89S52 每个单个的引脚，输出低电平的时候，允许外部电路，向引脚灌入的最大电流为?10?mA；?每个?8?位的接口（P1、P2?以及?P3），允许向引脚灌入的总电流最大为?15?mA，而?P0?的能力强一些，允许向引脚灌入的最大总电流为?26?mA；?全部的四个接口所允许的灌电流之和，最大为?71?mA。? 而当这些引脚“输出高电平”的时候，单片机的“拉电流”能力呢？?可以说是太差了，竟然不到?1?mA。? 结论就是：单片机输出低电平的时候，驱动能力尚可，而输出高电平的时候，就没有输出电流的能力。 基本参数：8050 h=270 类型：NPN 耗散功率：0.625W（贴片：0.3W） 集电极电流：0.5A 基极电压：40V 发射极击穿电压：25V 发射极饱和电压： 0.6V 特征频率f ： 最小150MH 按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档 放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350 管脚排列顺序：E、B、C或E、C、B 常用三极管参数（参考） 型号 极性 PCM(W) ICM(mA) BV(CEO)V fT(MHZ) hFE 9012 PNP 0.625 500 40 -- 64 ～ 202 9014 NPN 0.625 100 50 -- 60 ～ 1000 8050 NPN 1 1.5A 25 190 85 ～ 300 8550 PNP 1 1.5A 25 200 60 ～ 300 注释： PCM是集电极最大允许耗散功率。 ICM是集电极最大允许电流。 BV（CEO）是三极管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压。 fT是特征频率。 hFE是放大倍数。 从上面的继电器线圈参数得知，继电器工作吸合电流为0.2W/5V=40mA或5V/120Ω≈40mA。 三极管的选择： 功率PCM：大于5V*继电器电流 (5*40 mA = 0.2W)的两倍； 最大集电极电流（ICM）：大于继电器吸合电流的两倍以上； 耐压BV（CEO）：大于继电器工作电压5V,可选10V以上； 直流放大倍数：取100。 三极管可选：PCM（0.4W↑），ICM（80mA↑）,BV (10V↑) 三极管基极输入电流：继电器的吸合电流/放大倍数=基极电流(40mA/100 =4mA)，为工作稳定，实际基极电流应为计算值的2倍以上。 基极电阻：（5V-0.7V）/基极电流=电阻值(4.7V/8mA =3.3KΩ)。 这里单片机IO口输出高电平触发三极管导通。经过以上的分析计算得出：三极管可用极性是NPN的9014或8050，电阻选3.3K。 三极管的放大倍数要求不高，一般买的都可以，100～500 (放大倍数分段可选)，随便买的都可以用。 电阻R1选3.3K/