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* * 光有源器件：需要外加能源驱动才能工作的光电子 器件 半导体光源(LD,LED,DFB,QW,MQW,VCSEL) 半导体光探测器(PD,PIN,APD） 光纤激光器（OFL:单波长、多波长） 光放大器(SOA,EDFA) 光波长转换器(XGM,XPM,FWM) 第四章 光源及光检测器 F-P腔激光二极管(LD) 分布反馈布拉格激光器(DFB) 分布布拉格反射激光器(DBR) 外腔激光器与Q开关激光器 发光二极管(LED) 光纤激光器(OFL) 垂直腔表面发射激光器(VCSEL) 多波长光源与波长可调谐激光器 光电探测器(PIN-PD、APD-PD) 半导体激光器、探测器的种类 光器件与电器件的类比 §4.1 发光器件的原理与特性 光纤通信系统中，采用的光源及检测器分别为半导体发光二极管(LED)、激光器(LD)和半导体光电探测器(PD)。 一、半导体异质结发光机理 物质原子结构的图象： 半导体固体能带结构 (由多个原子的能级组成)： c 固体由原子组成，原子具有量子化的能级。由于化学环境及物理的原因，原子的能级要发生变化—— 每个原子核外电子的能级叠合成彼此相差很小的一组能带：原子内层能级被电子填满，由它们形成的能带也被电子占满，称为满带(价带)；外层能级未被电子填满，它们形成的能带亦未被填满，称为导带。两者间的能量距离??g，称为禁带。 下图简略表示出半导体、绝缘体、及金属的能带，这 里仅画出了导带和满带。从能带角度看，半导体和绝缘体的差别仅在于两者的禁带不同，前者较窄，后者很宽，而金属的 ??g =0 。 固体的能带理论 （1）半导体的禁带很窄，满带中的电子较易进入导带。导带中的电子在外场作用下运动而参与导电。 （3）金属导体没有禁带，可显示很强的导电性。 （2）绝缘体的禁带很宽，满带中的电子很难进入导带， 导电性很差。 外 场 满带 导带 满带 导带 满带 导带 （1）半导体 禁带 禁带 外 场 （2） 绝缘体 （3）金属 （1）本征半导体 纯净的半导体，如硅、锗等。 半导体禁带宽度窄、在外场的作用下, 导带中的电子、满带中的空穴都可参与导电。（本征导电性。见下图） 外 场 满带 导带 半导体的分类 （2）杂质半导体 当四价的元素中 掺入少量五价元素时形成n 型半导体。如：硅中掺入杂质磷后，磷原子在硅中形成局部能级位于导带底附近（称为施主能级）。 一般温度下，杂质的价电子很容易 被激发跃迁至导带，成为导电电子，使导带中的电子浓度大大增加。 n 型半导体以电子导电为主。 * n 型半导体 外场 满带 导带 施主能级 n 型半导体 * P 型半导体 四价的元素中掺入 少量三价元素时形成 P 型半导体，如：在硅中掺入三价的杂质硼，杂质原子的局部能级位于价带顶附近（称为受主能级）。 一般温度下，满带中的电子很容易被激发跃迁至杂质能级上，满带中留下的空穴也将因此而大大增加，而成为多数载流子。P 型半导体以空穴导电为主。 外场 满带 导带 受主能级 P 型半导体 附：几个3、4、5价的元素 P-N结： 正向连接时，P中的空穴和N中的电子都易于通过P-N 结， 形成P ? N的正向宏观电流。 （2）作用： PN结具有单向导电作用,是制造整流器和集成电路的基本结构。 结果：交界处出现正、负电偶层，阻挡继续扩散达到平衡，形成P-N结。 P型材料中的空穴将向N型材料扩散；N型材料中的电子将向P型材料扩散。 正向连接 反向连接 反向连接时，P中的空穴和N中的电子都难以通过P-N 结。故 P-N结具有单向导电的性能。 （1）形成：P与N密切接触 自发辐射与受激辐射： 导带的电子不稳定，向价带跃迁与空穴复合而放出光子——光辐射。如果跃迁是自发的，则光子具有随机的方向、相位及偏振态，称为自发辐射； 如果受到入射光子的激励，辐射的光子与入射光子有相同的方向、相位及偏振态，称为自发辐射。 半导体异质结的发光与吸收 光吸收： 半导体受到外来光子的照射，当外来光子的能量?禁带能隙时，半导体价带的电子吸收光子向高能级跃迁，称为光吸收。 半导体光源的基本概念 Einstein关系——热平衡时，导带N2与价带N1的粒子数分布： 双异质结构(Double Heterojunction)： 有源层(Active layer) ： P、N层的作用：提高有源层的载流子复合效率。限制光场。 2 1 发光二极管(LED) 面(Surface)发光二极管 边(Edge)发光二极管