na-mg共掺对氧化锌薄膜结构形貌的影响.docVIP

na-mg共掺对氧化锌薄膜结构形貌的影响 设 计 者： 王艳丽 专 业： 电子信息工程 指导教师： 王玉新 班 级： 四班 12 学 号： 201321010789 完成日期： 2015年11月8日 摘要 : 报道了用溶胶凝胶法制备由?Na、 Mg两种元素共同掺杂的 ZnO薄膜 ,研究了在?Na2Mg共同掺杂情况下 ,ZnO薄膜的表面形貌、 微结构和电学性质.通过改变?Na、 Mg 掺杂量与 Zn 的比值 ,ZnO 薄膜可呈现良好的 c2轴取向. 同时 ,经过 Hall 效应测量发现 :ZnO薄膜的电阻率、 载流子浓度和迁移率随着?Na、 Mg 的掺杂量而变化 ,并出现离散性 ,薄膜电阻率最低可达 0.57 × 105Ω? cm ,具有 P2型传导性 .关键词 : 溶胶凝胶法 ;Na2Mg掺杂 ;ZnO薄膜 ;电阻率 正文： ?薄膜电阻率很低 ,是 N2型半导体化合物. 但是 ,通过有效掺杂可以使其变成 P2型半导体化合物 ,有广阔的应用前景N2型 ZnO 薄膜的性能变得更加优异掺杂如 N2Al 和 N2In 的共掺杂[1]等人发现 ZnO[2]. 而且 ,当掺入微量的 Al、Ga、In 等元素 ,可使[325]. 目前 ,通过[627]等来获得 P2型或N2型 ZnO 薄膜 ,甚至做成 PN 结器件 ,来对薄膜和器件进行电学性质研究 ,已经取得了不小的进展.最近Liu Jun 等人ZnO 薄膜的电阻率. 同时 ,他们发现当存在元素共掺杂时 ,ZnO 薄膜的电阻率并不与掺入量成比例 ,而是有一个极值. 本文选用?Na?元素代替 Li 元素 ,来研究Na2Mg共掺杂时 ,ZnO 薄膜的结构、 表面形貌和电学性质的变化 ,从而了解?Na2Mg 共掺对?ZnO 薄膜微结构及电学性质的影响. ?1．选用乙酸锌(Zn(CH3COO)2? 2H2O(AR))和氯化镁(MgCl2? 6H2O(AR)) , 氯化钠?NaCl (AR) 为溶质 ,甲醇为溶剂 ,二乙醇胺(HN(CH2CH2OH)2 ,AR)作稳定剂.先取一定量的乙酸锌溶于甲醇 ,加入与此乙酸锌等摩尔量的二乙醇胺作稳定剂. 再加入一定量的氯化钠 ,使?Na∶ Zn = 0. 1∶ 1 ,最后加入氯化镁 ,配制成 Mg∶ Zn 分别为 0. 02∶ 1、 0. 04∶ 1、 0. 06∶ 1、 0. 08∶ 1和 0.10∶ 1 的 5 瓶溶胶. 同理 ,将一定量的乙酸锌溶于甲醇 ,加入与乙酸锌等摩尔的二乙醇胺作稳定剂.再加入一定摩尔比的氯化镁 ,使 Mg∶ Zn = 0. 06∶ 1 ,最后加入氯化钠 ,配制成?Na∶ Zn 分别为 0. 02∶ 1、 0. 05∶1、 0.10∶ 1、 0. 15∶ 1 和 0. 20∶ 1 的 5 瓶溶胶. 将它们分别放到磁力搅拌加热器中 ,在 60 ° C下 ,加热搅拌 1h ,得到均匀、 透明的溶胶. 每瓶溶胶浓度控制在 0. 5molΠ L.以载玻片为衬底 ,划成一定尺寸. 将衬底放在丙酮里 ,用超声清洗 45 min ,再放入乙醇里 ,超声清洗45 min ,最后用去离子水冲洗干净 ,并烘干备用.将玻璃衬底放在型号为 SJT21 的匀胶台上 ,采用旋镀法 ,用配好的溶胶滴满衬底表面 ,以 3 000rΠ min转速旋转 30 s ,然后放到烤胶机 (MODELKW24AH)上于 300 ° C烘烤 30 s ,并重复上述过程 5 次. 将完成旋镀的 ZnO 薄膜放在烤胶机上 ,在 300 ° C预热30 min. 最后 ,放入管式炉中 ,通入氧气 ,调节合适的升温速率 ,经 2 h 升温到 400 ° C ,并保温 20 min.当管式炉自然冷却到室温 ,取出样品 ,我们得到了无色透明的 ZnO 薄膜.本实验中 ,预热的目的是去掉溶剂等挥发物 ,以及分解乙酸锌?,定型固化的 ZnO 薄膜 ,从而有利于下次旋涂.由于预热温度是 300 ° C ,大于甲醚和乙酸胺的沸点 ,所以二者基本上都挥发掉了. 根据以往的实验结果结构松弛 , 以及防止薄膜发生龟裂 ,使晶粒沿(002)方向生长 ,加热速率不宜过快. 本实验采用的热处理[11],为了有利于消除薄膜的内应力和避免过程是使样品在 2 h 内升温到到 400 ° C ,保温 20min.然后 ,自然冷却到室温状态.在热处理的过程中通入氧气 ,以保证?Na2Mg 掺杂