第二章电容(相对介电常数)及损耗因数的测量.ppt

1、对相对介电常数εr的要求 1）储能元件?大，使单位体积中储存的能量大 2）一般电工设备?小，减小流过的电容电流 2、对介质损耗因数tanδ(介质损耗角正切)的要求 1）一般电工设备中用的电介质和绝缘体?小，否则易消耗浪费电能，使介质发热，容易造成老化或损坏 2）特殊要求利用介质发热?大 3、测量目的： 1）检验评定电工设备、元件的性能，选择合适的绝缘材料 2）通过测量，来判断绝缘系统中的含湿量、老化程度等 3）测量其频率谱和温度谱，可作为研究电介质和绝缘材料物质结构的一种手段 相对介电常数εr 定义： 在同一电极结构中，电极周围充满介质时的电容Cx与周围是真空 时的电容C0(几何电容)之比 若为平行板电极 A—电极面积(m2)， t——电极间距离(m)， ε0—8.854×10-12(F/m) εr是测量电容Cx及与电极、试品有关的尺寸 损耗因数tanδ 定义：试品在施加电压时所消耗的有功功率与无功功率的比值，即介质损耗角δ的正切tanδ 介质无损耗时，电流与电压相位差为90o 介质有损耗时，电流于电压相位差为90o-δ 电路分析法计算tanδ 并联 串联 说明： 1、并联等效阻抗能切实反映绝缘体中有泄漏电流的事实Cx=Cp ，当tanδ0.1时， Cx=Cp ≈Cs，误差不超过1% 2、介质损耗很微小，不能用普通的功率表测量，将试品视为等效阻抗，测得 计算tanδ 影响相对介电常数与损耗因数的因素 1、电压幅值 一般情况与施加电压的幅值无关 若有夹层极化，高场强将使其增大 若绝缘体中有气泡，在电压超过起始放电电压后，测得的值增大 2、频率 极化需要一定时间，若这时间比交变电场的周期长的多，这种极化就来不及完成。频率低时，各种极化都存在，εr大，频率高时，夹层极化、偶极子极化来不及完成，只剩下电子极化、原子极化，εr减小。 tanδ：主要由偶极子极化、夹层极化造成。频率高，无极化故无损耗；频率低，极化完全跟的上电场变化而无滞后，相位差为90o，也无损耗；只在极化有滞后时出现介质损耗， εr 变化时，tanδ出现最大值 3、温度 εr: 温度升高会使分子间的束缚力减小，极化容易形成，因而介电常数增大，但当温度很高时，物质密度降低，而且分子的热运动加剧，从而使极化强度降低。 tanδ：温度较低时，在εr变化时出现最大值，而在温度很高时，由于电导产生的介质损耗占主要地位，介质损耗就和电导一样随温度上升而指数式增长。同时温度升高，极化松弛时间减小， tanδ随 频率变化的最大值向高频方向移动。 4、湿度 水的εr很大（81），同时水分渗入会起增塑作用，使极化更容易形成，也使得εr明显增大，在加上水的电导也比较大， tanδ也明显增大。 适用：测量频率不很高时（低于MHz） 分类： 阻容电桥 高压西林电桥：精密西林电桥，大电容电桥，反接和对角线接地电桥 低压阻容电桥：电容比例臂电桥，电阻比例臂电桥 变压器电桥（电感比例臂电桥） 电流比变压器电桥 电压比变压器电桥 自动平衡电桥 双T电桥 阻容电桥： 高压桥臂：试品Zx，无损标准电容器Cx 低压桥臂：无感电阻R3，R4/C4并联 调节R3，C4使电桥平衡 当tanδ0.1，误差允许不大于1%，则 ，工频高电压，取 安全性：ZxZ3，ZNZ4，电桥上施加的电压绝大部分都降落在高压桥臂上 电桥灵敏度与电桥本身结构、电桥上施加的电压幅值及频率、以及电桥的平衡指示器有关：1）比例臂两阻抗相等时（串接部分），灵敏度最高；2）电压、频率越高、指示器可测出的电流或电压越小，电桥灵敏度就越高。 精密西林电桥（高压） 采取措施，消除或减小对电桥结构上可能造成的误差 1）减小标准电容器的损耗 标准电阻正常情况下tanδN10-5,若受潮，受污染，或是电压太高出现局部放电，则会增大几个数量级，使用时应保证标准电阻干净、无局部放电 2）减小杂散电容的影响 试品低压端连接到桥臂及平衡指示器要用屏蔽线，且屏蔽线外屏蔽接地，采用电位自动跟踪器（输入阻抗很高1012，放大倍数1，无相位移的放大器），保证C、D零电位 3）减小残余电感及零电容的影响 R4中点加可调电容 大电容电桥 精密西林电桥内电阻R3允许的最大电流为30mA，电容量很大的试品，如电力电容器，长电缆等，高压下会流过很大的电流，在R3上并联电阻分流器(a)；当电流更大时，