微电子工艺技术.pdfVIP

3.155J / 6.152J 电子工艺技术 秋季课程 2003 这是尽人皆知的事情，带回家做的小测验。你不能和你的同学或者其他的人共同拉完成他， 必须自己一个人玩成。 这个小测验必须在11月12号星期2，在课程开始的时候上交。迟于这个时间交的将不会 得到评分。 份小测验里的一部份题有不止一个正确的答案。解释你的答案，说明你是怎样得到或 者为什么得到 个答案的。写出你的分析说明。 写出所有的特殊材料参数的参照源出处的书名、文章、杂志、作者和页码。在课程的正 文中，你可以简单的指明：Plummer, pg. #。你使用 表会比使用方程式更快和更方便的 找到它，但是有一些位置可能不会正确并且理论公式必须被使用。假设内部扩散 证明每一种假设（无疑的，你需要构造一些东西）。指出你在哪里使用了假设或者近似。 有一些问题需要从本质上去回答。尽量的使回答简洁，把回答集中在最重要、最有意义 的特征上。 评分：交上来的材料必须简洁而且干净；评分员会在30分钟以内给每一个材料作出评分； 草乱的书写或者过渡的冗长的材料将受到处罚。 1 问题陈述 你被奥斯汀州的一家公司雇用来共同开发新型的垂直MOSFET,它的市场在得克萨斯州（基于 你的表现和 望定居于气候温暖的地方）。你必须设计制造过程并且计算出怎样使用它们现 有的制造工厂来制作 种晶体管。关于这个问题的陈述你可以找到如下几点： 典型的制作工艺流程。 微型组装设备的说明书。 关于垂直MOSFET 的说明和设计工艺加工说明书。 第一部分 为这个设备开发一个制造工艺流程。在同一个表格里面写出你的加工描述作为一个样本工艺 流程，并且附上你的计算。你可以不必考虑最晶圆的控制。在这个工艺流程表的工艺制作步 骤中需要加入一些简要的晶圆剖面 。在生成工艺流程 的时候，你可以发现有一些步骤是 基于前面的步骤的，所以会出现一些必要的重复。为所有的假设提供正当的理由。 第二部分 画版 。包括用于组装设备的焊接点。你需要指名精确的尺寸。晶圆的最大数目是什么？ 第三部分 在第二部分的集成电路面板 画出你的设备横断面。 Part 4. 第4部分 在没有计算的情况下，写出利用KOH刻蚀而不用等离子刻蚀来定义垂直MOSFET,并且画出结 果草 。 关于注入和扩散的注意事项 假定2杂质不能越过氧化硅/硅界面 （也就是边界没有扩散） 为了使计算简单选择环境如 ：注入可以被看作是一个在表面IMPULSE DOPANT,为了随后的扩散。 假定所有的扩散是内在的并且互不影响。 关于硅 （厘米平方/秒）的扩散系数。在温度低于900摄氏度时忽略扩散。如果你 需要其他温度的扩散系数，选择使用 些数据并且假定为指数温度变化特性 900 C 1000 C 1100 C Arsenic 2x10-16 4x10-15 5x10-14 Boron 8x10-16 2x10-14 2x10-13 -16 -14 -13 Phosphorus 8x10 1x10 1x10 标准的工艺流程 14 3 开始于原材料：直径6寸单晶硅 （N型，10 cm- ），700微米 步骤： 1. RCA 清洁 2. 生长二氧化硅,厚度=250埃 温度= 1000 C 时间 = 20分钟.周围环境 = 干燥 0 。