MOSFET半桥驱动电路要点.pdf

半桥驱动电路要点 作者：万代半导体元件(上海)有限公司高级应用工程师 葛小荣 张龙 来源:电子设计应用2009 年第 10 期 引言 MOSFET 凭开关速度快、导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用。要想使MOSFET 在应 用中充分发挥其性能，就必须设计一个适合应用的最优驱动电路和参数。在应用中MOSFET 一般工作在桥式拓扑结构 模式下，如图 1 所示。由于下桥MOSFET 驱动电压的参考点为地，较容易设计驱动电路，而上桥的驱动电压是跟随相 线电压浮动的，因此如何很好地驱动上桥MOSFET 成了设计能否成功的关键。半桥驱动芯片由于其易于设计驱动电 路、外围元器件少、驱动能力强、可靠性高等优点在MOSFET 驱动电路中得到广泛应用。 桥式结构拓扑分析 图1 所示为驱动三相直流无刷电机的桥式电路，其中L 、 L 、L 为直流母线和相线的引线电感，电机为三相Y 型 PCB S D 直流无刷电机，其工作原理如下。 图1 桥式拓扑电路 直流无刷电机通过桥式电路实现电子换相，电机工作模式为三相六状态，MOSFET 导通顺序为 Q1Q5→Q1Q6→Q2Q6→Q2Q4→Q3Q4→Q3Q5。 系统通过调节上桥MOSFET 的PWM 占空比来实现速度调节。 Q1、Q5 导通时，电流(Ion)由VDD 经Q1、电机线圈、Q5 流至地线，电机AB 相通电。 Q1 关闭、Q5 导通时，电流经过Q5，Q4 续流(I )，电机线圈中的电流基本维持不变。 F Q1 再次开通时，由于Q3 体二极管的电荷恢复过程，体二极管不能很快关断，因此体二极管中会有反向恢复电流(I ) rr 流过。由于Irr 的变化很快，因此在Irr 回路中产生很高的di/dt。 半桥驱动电路工作原理 图2 所示为典型的半桥驱动电路。 图2 半桥驱动电路原理 半桥驱动电路的关键是如何实现上桥的驱动。图2 中C1 为自举电容，D1 为快恢复二极管。PWM 在上桥调制。当 Q1 关断时，A 点电位由于Q2 的续流而回零，此时C1 通过VCC 及D1 进行充电。当输入信号Hin 开通时，上桥的 驱动由C1 供电。由于C1 的电压不变，VB 随VS 的升高而浮动，所以C1 称为自举电容。每个PWM 周期，电路都给 C1 充电，维持其电压基本保持不变。D1 的作用是当Q1 关断时为C1 充电提供正向电流通道，当Q1 开通时，阻止电 流反向流入控制电压VCC 。D2 的作用是为使上桥能够快速关断，减少开关损耗，缩短MOSFET 关断时的不稳定过 程。D3 的作用是避免上桥快速开通时下桥的栅极电压耦合上升(Cdv/dt)而导致上下桥穿通的现象。 自举电容的计算及注意事项 影响自举电容取值的因素 影响自举电容取值的因素包括：上桥MOSFET 的栅极电荷Q 、上桥驱动电路的静态电流I 、驱动IC 中电平转换电 G QBS 路的电荷要求QLS、自举电容的漏电流ICBS(leak) 。 计算自举电容值 自举电容必须在每个开关周期内能够提供以上这些电荷，才能保持其电压基本不变，否则VBS 将会有很大的电压纹 波，并且可能会低于欠压值VBSUV，使上桥无输出并停止工作。 电容的最小容量可根据以下公式算出： 其中，V 为自举二极管正向压降，V 为下桥器件压降或上桥负载压降，f 为工作频率。 F LS 应用实例 图3 所示为直流无刷电机驱动器半桥驱动芯片上桥的自举电压(CH1: VBS)和驱动电压(CH2: VGS)波形，使用的 MOSFET 为AOT472 。 图3 半桥驱动芯片上桥驱动波形 驱动器采用调节PWM 占空比的方式实现电机无级调速。 通过公式 1 算出电容值应为 1μF左右，但在实际应用中存在这样的问题，即当占空比接近 100%(见图3a)时，由于 占空比很大，在每次上桥关断后V 电压不能完全回零，导致自举电容在每个PWM 周期中不能完全被充