05期末试题-课程中心-吉林大学.PDF

2005 级半导体器件物理期末试题（A 卷） （吉林大学电子科学与工程学院） 一．[30 分，每小题 6 分] 回答下列问题 1. 解释 GaP:N. GaP:Zn-O 中的等电子陷阱复合及其对发光所起的作用。 2.说明 AlGaAs/P-GaAs /N-GaAs LED 中AlGaAs 层的作用。 3.PN 结耗尽层电容和扩散电容是如何引起的？二者的主要区别是什么？ 4.画出集成结构示意图和电路图说明肖特基势垒钳位晶体管的工作原理。 5.解释 BJT 的穿通击穿现象。 二[20 分]长PN 结二极管处于反偏压状态，求： （1）解扩散方程求少子分布np (x) 和p n (x) ，并画出它们的分布示意图。 （2 ）计算扩散区内少子贮存电荷Q 和 Q 。 p n （3 ）证明反向电流I −I 0 为 PN 结扩散区内的载流子产生电流。 三[10 分]双极结型晶体管 E-M 方程为： V V V V ( E T ) ( C T ) I −I e −1 +α I e −1 E F 0 R R 0 V V V V ( E T ) ( C T ) I α I e −1 −I e −1 C F F 0 R 0 根据以上公式给出 BJT 四种模式下 E-M 方程的具体形式。 四[10 分]一 个 N 沟 MOSFET ： Z μ C 1.线性区漏电流I n o (V =−V )V ， D G TH D L −8 2 在线性区， 固定V 0.10V 不变，实验测得： Z 15μm ,L 2μm ,C0 6.9×10 F /cm . D V 1.5V时,I 35μA;V 2.5V时, I 75μA 。根据以上实验求沟道内载流子迁移率 G D G D 和阈值电压。 Z μ C0 2 2.可否使用用饱和区漏电流公式I n V V 进行上述计算？如果可以请给 ( =− ) D G TH 2L 出计算步骤。 五[15 分]一 N 沟 GaAs MESFET, 15 −3 ϕ 0.9V, N 2×10 cm , a 0.6μm, b d 17 −3 N 4.7 =×10 cm 。 C 2 qa Nd 1.计算ψ 和V 0 0 p 2 ε