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旁路二极管知识旁路二极管知识
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一、一、半导体介绍半导体介绍::
一一、、半导体介绍半导体介绍::
几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,应用也非常广泛。下
面首先对半导体做个介绍:
1 本征半导体
纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。常用的半导体材素是元素周期表中的4价元素,如:硅(si ) 、锗(Ge )。
其原子结构中最外层轨道上有4个电子;纯净的晶体中相邻的两个原子的一对最外层电子 (价电子)结合成为共有电
子,组成共价键;原子可以形成稳定的8原子壳层,如下图所示。
共价键中的价电子在热运动中能获得能量形成自由电子和空穴 (价电子摆脱共价键束缚后成为自由电子,此时
在共价键中留有了空位,称为空穴,空穴带正电)。本征半导体中存在的两种载流子即自由电子和空穴,由于其两者
是成对产生,所以在本征半导体中两者浓度是相同的,因此本征半导体本身称电中性。本征半导体材料中载流子的
浓度除了和其本身的性能有关外,还和温度有关,随着温度的升高称指数规律上升,硅材料的温度每升高8摄氏度,
本征载流子的浓度增加一倍,锗材料的温度每升高12摄氏度,载流子的浓度增加一倍。另外,半导体载流子的浓度
与光照有关。
2 P型半导体
如果在纯净的硅晶体中掺入3价杂质,如硼 (或鋁、镓或铟等),这些3价杂质原子的最外层只有3个价电子,当它
与相邻的硅原子形成共价键时,还缺少1个价电子,因而其它共价键电子只要少量能量摆脱原子核束缚,即可填充之,
而在其本身位置形成空穴,在一个共价键上要出现一个空穴,此种半导体主要靠空穴导电;此种半导体称之为P型半
导体。 P型半导体材料中,空穴数目很多,称为多数载流子,而电子数目很少,称为少数载流子。P型半导体只有一种
多子――空穴 ,对外呈电中性,导电特性与掺杂的杂质浓度有关。P型半导体如下图所示:
3 N型半导体
如果在纯净的硅晶体中掺入少量的5价杂质磷 (或砷,锑等),由于磷原子具有5个价电子,所以1个磷原子同相邻
的4个硅原子结成共价键时,还多余1个价电子,这个价电子很容易挣脱磷原子核的吸引束缚而变成自由电子,此种
半导体主要靠自由电子导电;此种半导体称之为N型半导体。N型半导体材料中,空穴数目很少,称为少数载流子,
而电子数目很多,称为多数载流子。N型半导体只有一种多子――自由电子 ,对外呈电中性,导电特性与掺杂的杂质
浓度有关。P型半导体如下图所示:
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二、二、PN结介绍结介绍::
二二、、 结介绍结介绍::
1 PN结
若将P型半导体和N型半导体两者紧密结合,联成一体时,由于交界面两边,电子和空穴的浓度不相等,因此会
产生多数载流子的扩散运动。扩散的结果是在交界面形成空间电荷区,即为PN结,电荷聚积形成内建电场E ,
电场方向: N - P ,此电场作用下,少数载流子将做漂移运动,方向与扩散方向相反,阻止扩散运动。扩
散得越多,电场越强,漂移运动越强,对扩散的阻力越大。平衡时,扩散和漂移运动作用相等,界面通过的载
流子数为0,PN结无电流通过,此时,PN结形成一个阻挡层,电子学上称为耗尽层。如下图所示:
2 PN 结的单向导电特性
电源的正极接到P区,负极接到N 区,则PN结出于正向偏置状态。此时的外加电场与其内部自建电场的方向相反,
消弱了其内建电场,从而使得阻挡层变窄,扩散作用将大于漂移作用,此时多数载流子将向对方区域扩散而形
成正向电流,电流方向为正极P区流向负极N 区。PN结出于导通状态,呈现出正向导通电阻很小。两端的压降越
大,其流过PN结的电流越大,如下图所示。U -I 呈线的函数关系: I = I e U/UT
D D S
I : 流过PN 结的电流;
D
U : PN结两端电压;
U = kT/ q 称为电压当量,其中k 为玻尔兹曼常数,1.381×10^(-23)J
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