3.15pn结C.A.Ross，麻省理工大学，材料科学与工程系.PDF

3.15 pn结 C.A. Ross，麻省理工大学，材料科学与工程系 参考文献： Pierret ，第5－6 章 非偏置电压（平衡态）下的pn 结 假设一个突变pn 结，其p 端具有高的空穴浓度，而n 端具有高的电子浓度。 载流子会直接沿着浓度梯度方向扩散。 由于离化杂质的存在，这种扩散会导致空间电荷形成。由空间电荷所形成的电场会使得载流 子向着与扩散流相反的方向漂移。 在平衡态下扩散流和漂移流相互抵消。 p-p-型型 n-n-型型 电子漂移电子漂移 电子扩散电子扩散 空穴漂移空穴漂移 空穴扩散空穴扩散 电荷密度，ρ电荷密度，ρ p-p-型型 n-n-型型 距离，距离，xx 1 高斯定律 E ρ x dx , 其中电荷密度ρ＝e(p-n+N -N ) ∫ ( ) D A εε 0 r 能量（也就是能带位置） E ＝-dV/dx 耗尽层宽度 d ＝d +d p n 内建电压V0 ：根据前面的结果， n=n exp(E -E)/kT i f i p=n exp(E -E)/kT i i f 费米能级平缓地穿过结： eV ＝(E -E) －(E -E) 0 f i n-type f i p-type 2 ＝kT/e ln(n /n ) 或kT/e ln(N N /n ) n p A D i 1 采用耗尽近似，在p 型材料内ρ＝-N e, 在n 型材料内ρ＝N e ： A D 在x=0 时， E=N ed /εε = N ed /εε A p 0 r D n 0 r 2 2 V =(e/2εε)( N d +N d ) ， 0 0 r D n A p 2εε V N d 0 r 0 A n e ND (ND +NA ) 2εε V N +N d d =+d 0 r 0 D A p n e N N A D 偏置电压下的pn 结（施加电压降VA ） 通过在n 端施加-ve （或在p 端施加+ve ），正向偏置电压使n 端的能级升高 （或使p 端的能 级降低