基于扩散模型的ZnOp-Si异质结伏安特性研究.PDF

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2017-05-26 发布于天津
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基于扩散模型的ZnOp-Si异质结伏安特性研究

( 自然科学版 ) 39 2 Journal of South China University of Techno logy Vo.l 39 No. 2 2011 2 (Natural Science dition) February 2011 文章编号: 1000-565X( 2011) 02-0001-06 基于扩散模型的ZnO /p-Si异质结伏安特性究* 熊超姚若河耿魁伟 ( , 510640) 摘要: 为了揭示 ZnO /p-Si异质结的导电机理, 基于 p-n结扩散模型和 Anderson扩散模型推导了 ZnO/p-Si异质结在理想情况下的伏特性, 并分析了掺杂浓度工作温度以及能带补偿的影响. 结果表明: 当正向偏压超过势垒高度时, 界面两边多数载流子由耗尽变为堆积,形成反向势垒, 对异质结的正向电流起阻碍作用; 当外加正向电压等于内建势垒高度时,伏特性曲线出现转折点; 当外加正向电压超过转折点电压时, 电流密度随电压升高而增大的速度减缓;反向饱和电流密度随 p-Si受主掺杂浓度的增加和工作温度的降低而减小,但与 ZnO的掺杂浓度和导带补偿无关; p-Si和 ZnO 的掺杂浓度减小工作温度升高以及导带补偿增大均会引起转折点位置对应的外加正向电压减小. 关键词: 氧化锌; 异质结; 伏特性; 内建势垒; 扩散模型中图分类号: TN31 do:i 10. 3969/j. issn. 1000-565X. 2011. 02. 001 ZnO ( 337 eV) 1( a), SiZnO ( 60 eV) 405 435eV[ 17-18] , , E = 112eV E = 337eV, E E g1 g2 C V [ 1-4] . Si , E E Fn Fp ZnO ZnO/Si , ZnO/Si E = 030eVE = 255eV. C V [ 5-10] U U , . D [ 16] ZnO U U , p-n , D 3+ n. Al