半导体物理吉林大学半物第五章.pptVIP

图5.5 硅中导带的六个能谷和它们的主轴方向 ml mt mt mt ml ml ⒉总的电流密度和电导率(以硅为例) 硅的导带有六个能谷（3组），它们在布里渊区内部六个100方向上。等能面是以这些轴为旋转轴的旋转椭球面 令ml表示沿旋转主轴方向上的纵向有效质量，mt表示垂直于旋转主轴方向的横向有效质量，则有m1=ml和m2=m3=mt. 如果用μl和μt分别代表纵向迁移率和横向迁移率,则可得出: 在各个能谷中,μl和μt的数值都是相等的,但是它们对应于晶体中不同的方向. 在同一个对称轴上的两个能谷，它们的能量椭球主轴方向是一致的，可以作为一组来考虑，若用n表示电子浓度，则每组能谷的电子浓度是n/3。总的电流密度应是三组能谷电子电流密度之和，因此 或者写成 这个结果说明总的电流密度和电场的方向是一致的.因此,电导率是标量. 则有 mc称为电导有效质量. 电导率σ的表示式为 3.迁移率及电导率与杂质浓度和温度的关系 ⑴迁移率 ⅰ 掺杂浓度一定（饱和电离）时,μ大→σ大,即导电能力强; 其中弛豫时间て与散射机构有关（散射几率大时，迁移率小）。 例：一般情况下μn μp，因此,npn比pnp的晶体管更适合于高频器件. 对于MOS器件, n沟道器件比p沟道器件工作速度快. ⅱ 迁移率μ的公式为 补充： ② ③ 几种散射同时存在时，有: 实际的弛豫时间て及