半导体光电器件GD3218Y型硅NPN光敏晶体管.PDF

半导体光电器件 GD3218Y型硅NPN 光敏晶体管 器件应符合本规范和GJB33A－1997中JCT级的要求。本规范的要求与GJB33A－1997中JCT级的要求不一致 时，应以本规范为准。按本规范提供的器件质量保证等级为超特军（JCT）级。 设计、结构与外形 工艺结构 器件将硅NPN型光敏晶体管芯片粘接到TO金属管座上。压焊方式为金丝球焊。 最大额定值 最大额定值规定如下（T =25C，除非另有规定）: A 贮存温度(Tstg )………………………………………………………………………… -65C～+150C 工作温度(T ) ………………………………………………………………………… -65C～+125C A 集电极-发射极电压(V ）…………………………………………………………… 50 V CEO 发射极-集电极电压(V ）…………………………………………………………… 7V ECO 焊接温度(烙铁焊接时间5秒)………………………………………………………… 240C 耗散功率（ 1） P ） …………………………………………………………………… 50mW tot 外形结构和尺寸 器件为带玻璃球透镜TO型金属管壳封装，外形见图1，外形尺寸应符合表1规定。 注1）：耗散功率在25℃～125℃间按0.5mW/℃线性降额。 图 1 外形图 表 1 外形尺寸 单位为毫米 尺寸 符号 最小值 标称值 最大值 A 2.59 — 2.92 B 2.03 — 2.26 t 0.13 — 0.25 φD 1.47 — 1.57 φd 0.64 — 0.89 C 0.41 — 0.61 E 2.13 — 2.34 管壳材料和镀涂 管壳材料为可伐合金，管壳涂层应镀金，镀金层厚度1.27μm～1.50μm。