实验室简报第十期-硅材料国家重点实验室-浙江大学.PDF

20 15年第2期（总第十期） 硅硅材材料料国国家家重重点点实实验验室室 057 1 半导体异质结二维电子气的研究工作取得新进展 硅材料国家重点实验室办公室 State Key Laboratory of S ilicon Materials 简报 htt p://silab.zj u.edu.cn 2015年5-6月 半 导体异质结界 面二维电子 气（2DEG）是一片发 现新奇物理现 象和发明新型 电子器件的沃土，例如 赵新兵教授课题组博士生获2015国际热电学会Goldsmid奖 GaAs/A lGaAs异质界 面2DEG的分数量子霍 尔效应， 硅材料国家重点实验室2015年学术委员会会议 HgTe/CdTe异质结的量子 自旋霍 尔效应， 高亮度 浙 江大学材料学院、硅材料 国家重点实验 InGaN/A lGaN异质结蓝光发光二极管和 高电子迁移率 硅材料 国家重点实验 室第七届学术委 员会 第二次会议于 室赵新兵教授课题组 日前获 国际热电学会来信 场效应 晶体管等都是在半导体异质结的2DEG中发现或 2015年6月5号在杭州召开 。 通知，该课题组博士生胡利鹏经2015国际热电 发明的。最近，浙江大学物理 系、硅材料 国家重点实 会议 由学术委 员会主任褚君浩院士主持 。在会议正式开 学会评奖专家委 员会严格评审，获2015国际热 验 室吴惠桢研 究小组与袁辉球研 究小组、美国圣地亚 始前， 全体 与会成 员首先表达 了对去年末 因病逝世 的阙端 电学会Go ldsm id奖(2015 ITS Go ldsm id 国家实验 室、美国北卡罗来纳州夏洛特分校 、美国洛 麟先生的深切悼念， 并缅怀 了他为实验 室发展作 出的杰出 Award)殊 荣。Go ldsm id奖设立于1999年，是 国 斯 阿拉莫斯 国家实验 室合作在CdTe (II-V I族半导 贡献。阙端麟 院士是硅材料 国家重点实验 室创始人，在他 际热电学界研 究生最高荣誉奖项 。每年至多1个 体)/PbTe（IV-V I族半导体） 异质结极性界 面2DEG的 的带领下， 经过全体成 员的共 同努力， 实验 室不断发展壮 名额， 迄今为止全球共有14个 大奖得主，其选 大， 多项重要成果得到 了国际学术界 的高度评价和产业化 拔依据是根据热电领域研 究生 申请人近2年的主 研 究工作取得重要进展，该项成果 已于2015年6月在 应 用。 要学术成绩。胡利鹏 同学此次在实力强劲的国 Nano Letters上正式发表[DO I: 浙 江大学吴朝晖校长代表学校参加 了本次会议，他对各 际申请人 中胜 出，将 于2015年6月下旬在德 国德 10.1021/acs.nano lett.5b01605]。论文第一作者 位专家的到来表示