透明导电膜材料与制程.PDF

透明導電膜材料與製程 1. 透明導電膜材料 薄膜材料在可見光範圍內 （波長380-780 nm ）具有 80%以上的透光率，電阻值低於 1×10-3Ωcm ，則可稱為透 明導電薄膜[16] 。隨著時代的進步，各種電子產品不斷推陳出新，因應製程上的需要，許多半導體材料不斷被開發與 應用，尤其在光電產業中，透明導電膜由於兼具透明與導電兩種特性，近年來的應用領域及需求量不斷地擴大 。 製備透明導電膜的材料大致上可歸納為兩類[16,17] ，一類是薄金屬膜，另一類是金屬氧化物膜，茲分述如下： （一） 薄金屬膜 金屬材料本來就可導電，是良好的紅外線反射體，同時也會反射可見光，其自由載子的濃度約為1023/cm3 ，使 得金屬的電漿頻率落在紫外光區，在可見光區是不透明的，但只要金屬膜夠薄也會有某種程度的透光性，即薄金屬膜 （如金、銀、銅、鉑等薄膜），如果要增加可見光區的透明度，同時又維持紅外光區的強反射性，必須將金屬製成薄 膜，厚度須低於10nm 。理論上，薄金屬膜可以成為良好的透明導電膜，但實際上極大部份的金屬在製成厚度低於 10nm的薄膜時，都會變成島狀 （Island-like ）不連續膜。而使薄膜的電阻值升高。而且當島狀結構變大時，會散射 入射光而非穿透。若使其它條件都相同，要得到足