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半壶水STM32 开发板-III +JLINK V7,支持网络, 含2.8 寸TFT320*240 淘宝： STM32 FLASH 模拟EEPROM 使用和优化 原始文件ST 官方有例子和文档：AN2594 /mcu/familiesdocs-110.html 看到不少网上使用官方例子程序不成功的问题，我估计大概是没详细阅读官方文档的原因吧，也许很多人没理 解官方例子的原理。那么下面就详细说明一下原理再说如何优化。 原理如下： 首先使用2 页FLASH 空间，如果0 页空间写满数据，那么把0 页空间里面的 【有效数据】复制到1 页，如果1 页数据满那么把1 页空间里面的 【有效数据】复制到0 页，这样循环使用，当然如果你想增加使用寿命可以增 加多页循环，官方例子只是按2 页实现的例子。每页前面4 字节保留，其中前2 字节是该页状态标志 下面的图显示数据在FLASH 中的保存格式： 半壶水QQ: 958664258 交流平台：/user1/5817/index.htm 半壶水STM32 开发板-III +JLINK V7,支持网络, 含2.8 寸TFT320*240 淘宝： 保存数据是16 位的，后面16 位是该数据的虚拟地址，注意：1 个数据有唯1 个虚拟地址，地址必须为：0~0xfffe 范围内 （每页将按4 字节分块，1 块保存1 个16 位数据）。下面继续说明16 位虚拟地址的作用。 Figure 3 显示了数据更新的过程： 1. 写数据 假设保存的数据虚拟地址是0X7777，那么程序写数据是从当前有效页页首地址开始查询虚 拟地址位置为 0XFFFF 的空间，如果是 0XFFFF 那么该位置可以保存数据；如果不是，那 么继续找下 1 个位置，如果本页无 0XFFFF 的空间那么表示本页已满，那么将本页 【有效 数据】复制到另外1 页继续保存数据。 当两次保存同一虚拟地址的数据时如右图所示：从上到下，第2 个虚拟地址是0X7777 对应 的数据1245 才是有效的。清楚了这点，那么读数据要怎么处理基本就明白了。 2. 读数据 读数据时是从有效页的末尾地址开始检测是否是有效数据，如果是那么立即返回，程序是通过虚拟地址判断有 效数据的，第1 个匹配的虚拟地址的数据才是有效的 3. 页满时处理数据 说到这里，看到不少使用例子程序不成功的问题，那么就请注意下面了，他们的错误估计是下面的原因造成的。 当1 页写满时其实里面有很多无效数据，你只需要将【有效数据】复制到另外1 页就成。如何复制有效数据呢？ 我想很多人估计忽略了 【#define NumbOfVar ((uint8_t)0x03) /* Variables number */ 】，NumbOfVar 就是你程 序中实际要保存的数据量，这个必须与实际保持一致，不能多也不能少，这个如果不一致，那么在换页时将出 错，没换页之前倒是没问题的，原因在于：程序在换页时将根据NumbOfVar 的值复制有效数据的个数，如果比 实际少，那么换页时将丢失数据，如果比实际多那么将出现旧数据覆盖最新数据 半壶水QQ: 958664258 交流平台：/user1/5817/index.htm 半壶水STM32 开发板-III +JLINK V7,支持网络, 含2.8 寸TFT320*240 淘宝： 错误的例子： /* Variables number */ #define NumbOfVar ((uint8_t)0x05) uint16_t VirtAddVarTab[NumbOfVar] = {0, 1, 2}; //NumbOfVar 定义的比用的多实际是{0, 1, 2, 0, 0},虚拟地址0 的数据换页后将出现旧数据覆盖最新数据 int main(void) { uint16_t temp; for (VarValue = 0; VarValue 100; VarValue++) { EE_WriteVariable(VirtAddVarTab[0], VarValue+10); } for (VarValue = 0; VarValue 500; VarValue++) { EE_WriteVariable(VirtAddVarTab[ 1], VarValue); temp=0; EE_Read