尼曼-半导体物理与器件第七章课件.ppt

第七章 pn结 * 均匀掺杂同质pn结 空间电荷区（极性）、耗尽区、势垒区 内建电场（方向）、内建电势差 pn结热平衡态（零偏），内建电势差大小 耗尽区假设、空间电荷区宽度 反偏pn结，势垒电容 单边突变结 击穿效应 小 结 第七章 pn结 * 作 业 7.18 Si 第七章 pn结 * 本章主要讨论静电特性，下一章主要讨论pn结二极管的电流-电压特性。 * * Vt为热电压。 * 雪崩击穿：电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对，这就是倍增效应；1生2，2生4，像雪崩一样增加载流子。 * 电离率指单位电子（?n）或空穴（?p）在单位长度内通过碰撞产生的电子-空穴对的数量。 * 第七章 pn结 高等半导体物理与器件 第七章 pn结 * 高等半导体物理与器件第七章 pn结 第七章 pn结 * 固体物理 量子力学 平衡半导体 载流子输运 非平衡半导体 双极晶体管 pn结二极管 肖特基二极管 欧姆接触 JFET、 MESFET、 MOSFET、 HEMT 从物理到器件 MOS结 双端MOS结构 统计物理 能带理论 第七章 pn结 * 概 述 前情提要 热平衡状态下的电子与空穴浓度，确定费米能级位置 存在过剩电子与空穴的非平衡状态 本章内容 pn结的静电特性 后续通用性 建立一些基本术语和概念 分析pn结的基本技巧也适用于其他半导体器件 第七章 pn结 * 主要内容 pn结的基本结构及重要概念 pn结零偏下的能带图 pn结空间电荷区的形成，内建电势差和空间电荷区的内建电场 反偏pn结空间电荷区变化——势垒电容 突变结 第七章 pn结 * pn结是大多数半导体器件都会涉及到的结构。 重点概念：空间电荷区、耗尽区、势垒区、内建电场、内建电势差、反偏、势垒电容等等。 分析pn结模型的基础：载流子浓度、费米能级、电中性条件、载流子的漂移与扩散、双极输运方程。 第七章 pn结 * 同一半导体内部，一边是p型，一边是n型，在p型区和n型区交界面（冶金结）附近形成pn结。 不简单等价于一块p型半导体和n型半导体的串联。 pn结具有特殊的性质：单向导电性，是许多重要半导体器件的核心。 突变结：每个掺杂区的杂质浓度均匀分布，在交界面处，杂质的浓度有一个突然的跃变。 7.1 pn结的基本结构 冶金结 第七章 pn结 * pn结的空间电荷区和内建电场 浓度差 多子扩散 杂质离子形成空间电荷区 内建电场 阻止多子的进一步扩散 促进少子的漂移 动态平衡（零偏） 耗尽区 空间电荷区 内建电场 第七章 pn结 * pn结两侧电子空穴浓度梯度，电子空穴分别由n型区、p型区向对方区域扩散，同时n型区留下固定的带正电施主离子，p型区留下固定的带负电受主离子。此固定的正负电荷区为空间电荷区，空间电荷区中形成内建电场，内建电场引起载流子的漂移运动，载流子漂移运动与扩散运动方向相反，最后达到平衡。 空间电荷区载流子基本耗尽，因此空间电荷区称作耗尽区。 pn结指p型和n型半导体形成的界面，该界面包括整个空间电荷区在内的区域。而空间电荷区之外的部分与独立的掺杂半导体性质相同，不属于pn结区域。 基本耗尽：载流子浓度和杂质浓度差别巨大（数量级的差别） 热平衡pn结的任何区域（包括空间电荷区）n0p0=ni2成立 第七章 pn结 * 7.2 零偏 平衡态的pn结空间电荷区中存在一个内建电场，该电场在空间电荷区的积分就形成一个内建电势差，从能带图角度看在n型和p型区间建立一个内建势垒，该内建势垒高度： 内建电势差维持n区多子电子与p区少子电子间以及p区多子空穴与n区少子空穴间的平衡（扩散与漂移的平衡）。 由于空间电荷区是电子的势垒，因而空间电荷区（耗尽区）又称作势垒区。 第七章 pn结 * 平衡状态pn结： 参照前边图中?Fn、?Fp的定义： 则内建电势差为： 注意：Nd、Na分别表示n区和p区内的有效施主掺杂浓度和有效受主掺杂浓度。 接触电势差的大小直接和杂质浓度、本征载流子浓度、以及热电压（温度及分布）相关。 （1）内建电势差 第七章 pn结 * （2）电场强度 p n + - E -xp +xn +eNd -eNa 内建电场由空间电荷区的电荷所产生，电场强度和电荷密度关系由泊松方程确定： 其中，?为电势，E为电场强度，ρ为电荷密度，εs为介电常数。 从图可知，电荷密度ρ(x)为： 突变结 ρ(C/cm3) 第七章 pn结 * p侧空间电荷区内电场可以积分求得： 边界条件：x=-xp时，E=0 相应，n侧空空间电荷区电场： 边界条件：x=xn时，E=0 第七章 pn结 * p侧电场和n侧电场在界面处（x=0）连续，即： -xp +xn +eNd -eNa -xp +xn 0