2PN结的特性.pptxVIP

;P-N结;制作方法;扩散法;突变结; 实际的突变结，两边的杂质浓度相差很大。例如N区的施主杂质浓度为1016cm-3，而P区的受主杂质浓度为1019cm-3。 如图所示的杂质分布可近似为突变结。;缓变结; 如果杂质分布可用x=xj处的切线近似表示，则称之为线性缓变结，如图所示。 此时，线性缓变结的杂质分布可表示为; 合金结和高表面浓度的浅扩散结一般可认为是突变结，而低表面浓度的深扩散结一般可认为是线性缓变结。 ;P-N结能带图;内建电场; 随着扩散运动的进行，空间电荷逐渐增多，空间电荷区逐渐扩展；同时，内建电场逐渐增强，载流子的漂移运动逐渐加强，在没有外加电压的情况下，载流子的扩散和漂移最终达到动态平衡，即从N区向P区扩散过去多少电子，同时就有同样多的电子在内建电场作用下返回N区。因而电子的扩散电流和漂移电流的大小相等，方向相反，从而相互抵消。对于空穴，情况完全相似。因此没有净电流流过P-N结，即净电流为零。 这时空间电荷的数量一定，空间电荷区不再继续扩展，保持一定的宽度，同时存在一定的内建电场。一般在这种情况下的P-N结称为热平衡状态下的P-N结（简称平衡P-N结）。 ;平衡P-N结的能带图; 当两块半导体结合形成P-N结时，按照费米能级的意义，电子将从费米能级高