4.薄膜技术.PDF

4. 薄膜技術 4.1 エレクトロニクスデバイスと薄膜の関係 国語辞典には、薄膜とは物の表面を覆う薄い膜であるして、代表的薄膜は生体膜、 油膜、固体薄膜等があると説明している。実際我々が日常的に使う 「薄膜」という言 葉は皮膚とか細胞膜、プラスチックフィルム、あるいはタンカーから海上に流出した オイルが作る膜等々の材質的にも厚みの面でも広範囲にわたる広義薄膜である。しか し我々が以下に扱う薄膜はエレクトロニクスデバイスのための薄膜である。日本学術 振興会薄膜第 131 委員会は薄膜を定義して、厚み 1 μm 以下の人工的に作成された固 体の膜であると述べて、これが狭義薄膜である。広義の薄膜に含まれる箔、シート、 プラスチックフィルムとは異なり、厚み1 μm 以下の薄膜は自立できず、必ず基板の 上に作成される。同じ材質の膜でも厚み1 ~ 10 μm 程度の膜は厚膜と呼ばれる。とは いえ以上の狭義薄膜の定義も慣習的であり決して厳密な限界がある訳ではない。 半導体IC、LCD、HDD 等のエレクトロニクスデバイスの製造には微細加･高集積機能 を達成するための重要な手段として薄膜が使用される。しかしそれ以外の分野でも薄 膜は工業的に応用される。光学分野では重量低減のために反射薄膜が、また波長選択 的な透過用あるいは反射用の多重干渉薄膜が使われる。機械的応用分野では表面硬化 用、表面潤滑用の薄膜被覆が使われる。化学的応用分野では耐蝕用、耐湿用の薄膜被 覆が使われる。また装飾にも薄膜は使われる。表4-1 にはエレクトロニクスデバイス 用薄膜の機能･材質･作製法の代表例をまとめて示す。 表4-1 エレクトロニクスデバイスで使用される代表的薄膜 薄膜の機能分類 材質 作製法 半導体 Si CVD(プラズマ支援法) Ga As-Al 真空蒸着(MBE 法) 抵抗 Ni-Cr 真空蒸着 Ta スパッタリング Cr-SiO 真空蒸着( フラッシュ法) コンデンサー SiO2 CVD 絶縁層 Ta2O5 スパッタリング、陽極酸化 Al2O3 スパッタリング、陽極酸化 圧電体 ZnO スパッタリング 磁性体 Co-Cr-Ta スパッタリング Ni 無電解メッキ 電極 Cu スパッタリング、CVD、電気メッキ 配線 Al 真空蒸着、スパッタリング、CVD Au/ Ni-Cr 真空蒸着、スパッタリング 75 4.2 各種薄膜作製法 表4-2 各種薄膜作製方式 薄膜の作製法は大別して 各種薄膜作成方式分類 液相法、気相法、その他に 3 大別できる。表4-2 にそれ らをまとめて示す。液相法 も気相法も基板表面に原子 を析出堆積させて固体の薄 膜を形成する。 これらの中で広く使われ るのは真空を用いる PVD (physical vapor deposition) と CVD (chemical vapor deposition) である。図4-1 は真空装置 の中で薄膜を作成する概念 を示す。PVD は固体を出発 源として、それを一旦気体 状態にして、基板上に堆積 して再び固体にする。PVD の代表的方 式は真空蒸着とスパッタリ