手机外围电路详细介绍.ppt

MTK电路原理分析;;MIC电路;;MIC内部结构;耳机电路; 未插入耳机时，A点断开，所以B点处于高电平，二极管截至，C处为高电平，所以 EINT为高电平。BB芯片判断耳机未插入。 当插入耳机时，由于耳机一般为64欧姆，32欧姆，或者16欧姆（MTK使用的为32欧姆）。 相对于100K欧姆，分压仅为0.1V左右，二极管导通，C处电压为0.1+0.2=0.3左右，EINT值 为低电平，BB芯片接受到中断。判断可能为耳机插入。但这样还是不够的，耳机插入还需 要满足下面另一个条件。;XMIC; MP3电路;MTK使用的一个D类功放，电容C243,C244,C245作用同前面MIC电路介绍的三个电容，主要是为了消除900MHZ和1800MHZ的高频噪音以及共模干扰。VBAT经过电感L204的过滤消除杂讯，并且加了一个33pf的电容以消除高频噪音。 其PA的功率为7-8倍左右，其计算方式为PA外面的电阻R255,R256 47K/PA内部的匹 配电阻10K*2（因为是两路差分信号）=9.4倍左右。 D类放大器理论是给定的小模拟信号作为功率放大器的输入。功率放大器内部调制器将模拟转换成数字信号，如脉宽调制(PWM)或脉冲编码调制(PCM)(取决于器件采用何种调制方式)。但它仍然是一个微弱的数字信号。然后，桥接放大器将数字信号的振幅放大。为了将高幅度数字信号转换回模拟输出，还需要一个无源LC滤波器。 D 类放大器比AB 类放大器效率更高，因为D 类放大器从电源获得所要求的输出功率，而非从电源获得所要求的电流，也不会在输出晶体管消耗剩余的功率。 音频信号都是正弦波 ，AB类放大器末级放大电路一般使用2个功率管，一个工作在正弦波的正半周，一个工作在负半周，然后合成一个完整的正弦波。 ;;FM电路;T-FLASH电路;键盘识别;I/O CONNECTOR;USB电压小于1.4V,充电器电压大于1.4V,检测到后VUSB3.3V信号会关闭，要不然会有20-30mA的耗流，当下载软件时使用UTXD1和URXD1两根数据线传输。 MTK多了一个GPIO63-USBID信号，若OTG线插入会把GPIO63-USBID信号接地，然后打开相应的电源。 9PIN为FM天线，B302为磁珠，隔断FM信号，阻抗在98MHZ处达到12K欧姆。 ESD器件放在磁珠之后。;开机关机过程;SIM卡电路;SIM卡原理;PMIC;SIM卡原理;LDO(低压差线性稳压器);低压差线性稳压器的主要参数 ;5．负载调整率(Load Regulation) 负载调整率可以通过图2-1和式2-1来定义，LDO的负载调整率越小，说明LDO抑制负载干扰的能力越强。 △Vload—负载调整率 Imax—LDO最大输出电流 Vt—输出电流为Imax时，LDO的输出电压 Vo—输出电流为0.1mA时，LDO的输出电压 △V—负载电流分别为0.1mA和Imax时的输出电压之差 ;键盘灯控制;马达电路;充电电路;VCHG_USB_PWR为5V，当充电器插入后，BB芯片中断读取ADC3_VCHG电压，若插入的电压大于8.3V，通过CHRIN信号侦测后断开。 充电器插入后，EINT2_CHARGER使能信号到BB，在把CHG_EN设为高，通过GATEDRV控制PMOFET来控制充电点流。;预充时未开机，CHG_EN为低，VGS=0V，MOS管截至，VCHG通过ISENSE信号充电，电流计算为0.01V/0.39ohm=25mA左右，当电池电压高于3.2V时，LDO侦测后BB启动，再由CHG_EN输出高电平。GATEDRV信号开始为5V电压，当开始充电的时候被拉低至3.5V，并再附近动荡，控制PMOSFET保持充电的电压的稳定。 恒流充电时要保证ISENSE处电压为160mV，若过大则提高GD电压，电压小后再降低GD电压。 恒压充电时BB芯片完全关闭对电池电压的侦测和充电的管理了，由软件负责充电，直至把电池充满。 当对ADC进行校准时，先设置Battery电压为3.8V，得ADC1为1.9V，若测的电压为1.8V，则调整Offset的值，直至测试OK为止。 当I/O口插入充电器和USB后，CHG_USB_PWR=5V，插入后BB中断，然后再侦测ADC4_USB电压，若为充电器，则此信号脚悬空，打开VUSB 3.3V，则ADC4_USB=3.3V*470K/(100K+470K)为高电平。 若接入的为USB线，则由于电脑接口处有一个15K的电阻，和R309 470K并联后再和R308 100K串联分压为低电平，通过判断电压大小即可判断为何种接入了。;RTCCAMERA;BLUETOOTH;Touch panel;测量X坐标，Rtouch表示X平面阻抗