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MJE253G;MJE243G;中文规格书,Datasheet资料
MJE243 - NPN,
MJE253 - PNP
Complementary Silicon
Power Plastic Transistors
These devices are designed for low power audio amplifier and
low−current, high−speed switching applications.
Features
4.0 AMPERES
• High Collector−Emitter Sustaining Voltage −
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) POWER TRANSISTORS
• High DC Current Gain @ IC = 200 mAdc COMPLEMENTARY SILICON
hFE = 40 −200 100 VOLTS, 15 WATTS
= 40 −120
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −
V = 0.3 Vdc (Max) @ I = 500 mAdc
CE(sat) C
• High Current Gain Bandwidth Product −
f = 40 MHz (Min) @ I = 100 mAdc
T C
• Annular Construction for Low Leakages TO−225
ICBO = 100 nAdc (Max) @ Rated VCB CASE 77
• Pb−Free Packages are Available* STYLE 1
3
2
1
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