2SK2498-AZ中文资料(renesas)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」.pdfVIP

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2017-05-29 发布于湖北
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2SK2498-AZ中文资料(renesas)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn 数据表数据表 MOS场效应晶体场效应晶体 2SK2498 交换交换 N沟道功率沟道功率MOS FET 工业用途工业用途描述描述 2SK2498是N-沟道MOS场效应晶体管设计用于包装尺寸包装尺寸高电流开关应用. （以毫米）（以毫米）特征特征 10.0±0.3 4.5±0.2 3.2±0.2 • 超低导通状态电阻 2.7±0.2 RDS (on) 1 9毫欧（V GS = 10 V, I D = 25 A) RDS (on) 2 14毫欧（V GS = 4 V, I D = 25 A) • 低C iss Ciss = 3400 pF TYP. 15.0±0.3 3±0.1 12.0±0.2 • 高雪崩能力额定值 • 隔离TO-220封 • BUIT-G中-S防护护二极管 4±0.2 13.5MIN. 绝对最大额定值