电子设计竞赛电源类.pptxVIP

1 Component1:Power Diode 一.基区电导调制效应----原始基片电导是电流的函数 二.Reverse recovery 1、现象 2、成因 3、危害 2 一个实验结果 实验条件：U=300V，D=1/3 F=40KHZ，T：IRFP460 I0=6A 选用三个二极管 D1：RURU3012，30A，1200V D2：IXYS,DESI30-06A，30A，600V D3：新一代二极管ISL91560P2，15A，600V IRM1=17A, IRM1/I0=2.8;IRM2=10A, IRM2/I0=2 ； IRM3=5A, IRM1/I0=0.8 结论:1.二极管反向恢复电流与其耐压成正比;2.新一代二极管明显优于传统超快恢复二极管。 3 Component2: Grant Power(1) 1.Structure.Lc --Current source; td:延迟时间：Ube=00.5v;tr:上升时间，ic=0Ic,Id;tfv:T 由放饱；Ton=td+tr+tfv ts:存储时间;trv:T处于放大区的时间T由放截 ;tfI:2, ic= Ic 0, 。The operational process 一.Dynamic waveforms 4 GRT的特点及应用 1.开关频率低,最高开关频率约为5KHZ.GTR的电流是少子的扩散形成的电流，在高注入下产生剩余载流子，在关断时，需要通过抽出和复合来消除，因此，关断时间长。 2、输入电阻少：流控元件，驱动功率大； 3、开关容量大； 4、导通压降低； 5 二.二次击穿 一次击穿：Uce=Buceo,Ic  ,雪崩击穿； 特点：Ic  , Uce=BuceoConstant 二次击穿： Ic  A点,P=UsBIsB…..临界（触发）能量…T失控….出现负阻区,局部过热,烧坏. IB(IC),A点左移 FIG.1.14,二次击穿的临界线 BUceo 6 Component2: Grant Power(2) 三.FBSOA /RBSOA 正向脉冲宽度 Ton=10ms 1ms,50us 壳温,Pcm 和 二次击穿的临界线 二次击穿的临界线 BUceo 7 Component3:MOSFET(1) 1.structure and operational principle The current channel ..V-Groove If Vgs0, there is a inversion layer at the surface of P. This inversion layer provides a channel for the current from D to S. 1).只有参与多子导电 ------High speed 2).On –resistor :器件的耐压；A是面积。增加，---尽量不用高压器件 has a positive temperature coefficient; If T increase, increase too.------Parallel 3). Nearly infinite input impedance-----Low driving power 8 2.Symbol and the output characteristic 9 3.The safety operational area 10 4. PM的等效电路 11 5、纯阻负载下PM的开关过程 12 13 （2）开通过程: 开通时间 三个阶段 1) 延迟时间,截止,时间常数 2) 电流上升,放大,时间常数 3) 全导通,时间常数 (小) (大) (中) 开通时间: 对于VN10A12, (3)关断过程 1)关断延迟时间 (中速) 2)电流下降 (慢速） 14 3） （快速） 关断时间： 对于VN10A12， 小结：开关过程分为三个阶段 PM截止，充放电时间常数小， PM放大，充放电时间常数大， PM全导通，充放电时间常数中等，充放电速度中等 15 6、感性负载下PM的开关过程 （1）基本规定： 1). 为理想的方波; 2).负载电流为恒定值; 3).极间电容为常数; 4). ; 5). 为理想二极管 6).分布电感 (2)开通过程分析 1).电路初态, 时区A, PM断态, 2).开通延迟区,时区B,PM仍在截止区 起因: 结束标志: 16 17 时间常数: 与阻值负载的延迟相同 延迟时间: 当 为了缩短