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SGH80N60UFDTU;中文规格书,Datasheet资料.pdfVIP

SGH80N60UFDTU;中文规格书,Datasheet资料.pdf

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    SGH80N60UFDTU;中文规格书,Datasheet资料

    S G H 8 0 N 6 IGBT 0 U F SGH80N60UFD Ultrafast IGBT D General Description Features Fairchilds UFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors • High speed switching (IGBTs) provides low conduction and switching losses. • Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 40A

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