IGBT单路三极管IRG4PC50UDPBF.pdfVIP

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2017-05-29 发布于河南
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IGBT单路三极管IRG4PC50UDPBF

PD -95185 IRG4PC50UDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH UltraFast CoPack IGBT ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, 200 VCES = 600V kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter VCE(on) typ. 1.65V parameter distribution and higher efficiency than G Generation 3 TM @V = 15V, I = 27A • IGBT co-packaged with HEXFRED ultrafast, E GE C ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in n-ch an nel bridge configurations • Industry standard TO-247AC package • Lead-Free Benefits • Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available • IGBTs optimized for specific application conditions • HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs . Minimized recovery characteristics require less/no snubbing • Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs TO-247AC Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units VCES Collector-to-Emitter Voltage 600 V I @ T = 25°C Continuous Collector Current 55 C C I @ T = 1