第3-1电气可靠性设计.pptVIP

第3章 电子元器件的可靠性使用 浪涌电流 开关过渡电流Ipt 对负载电容充电电流Iot 浪涌电压 在芯片封装寄生电感上的浪涌电压VN1 在PCB布线寄生电感上的浪涌电压VN2 芯片内 采用电感成分小的封装：小型大型，CSPBGAQFPDIP 增加接地端的数目 限制输出电路的电流变化率 芯片外 采用旁路电容 尽量减少PCB板电源线的电感成分 限制IC端子同时变化的信号数，尽量不要使多个输入数据线同时变化 宇宙射线，来自银河系和太阳系的某些星球 内辐射带：距地面600～6000km，高能质子（～100MeV，影响中低轨道卫星） 外辐射带：距地心2万km，高能电子（20keV~1.6MeV)，影响高轨道卫星 累计效应为主：总剂量，rad(Si) 辐射使晶格原子位移→空位、间隙原子 中子辐射显著：不带电，能量大，穿透能力强 引入辐射诱生能级 复合中心→少子寿命↓ 杂质补偿中心→多子浓度↓ →电阻率↑ 散射中心→载流子迁移率↓ 永久性损伤：不可恢复 双极器件(对中子辐射敏感) 二极管：正向动态电阻↑，反向击穿电压↑,漏电流↑ 放大管：电流放大系数↓，饱和压降↑ 开关管：上升时间↑,存储时间和下降时间↓,低电平阈值↑ MOS器件(对电离辐射敏感） 阈值电压漂移 跨导退化 隔离结漏电流 单粒子引起误触发 不同类型元器件 无源元件有源器件 二极管三极管 JFETBTMOSFET