03-静电场中的导体.pptVIP

1-5 静电场中的导体与电介质 4、导体的静电平衡条件： 二、静电平衡时导体电荷的分布 4 、对孤立导体，表面各处的电荷面密度与曲率有关。曲率越大的地方，电荷面密度越大。 2. 金属空腔导体内有带电体 五、 静电场中的电介质 3、电介质的极化： 4、电介质的影响 说明： 1-6 电位移 有电介质时的高斯定理 1-7 电容 电容器 4、电容器及其电容 2)、 圆柱形电容器 3)、 球形电容器 5、 电容器的串、并联 2)、电容器的串联： 1-8 静电场的能量 能量密度 2、带电电容器所存储的静电能 3、 电场的能量、能量密度 无极分子：相对位移与电场的大小有关；电荷体密度为0；表面上出现正负电荷；极化电荷或束缚电荷；不能用导线把电荷导走； 有极分子：无外场时排列是无序从而呈现电中性；有电场后，受电矩转动；出现束缚电荷或极化电荷； 虽然两类电介质极化的微观机制不同，但宏观结果都是在表面出现束缚电荷，所以宏观描述时不加以区别。 称孤立导体的电容。 ★上述结果对任意形状的孤立导体适用。 ★电容的大小与导体是否带电无关。 3、电容的单位：法拉： 如将地球看作孤立导体： R地=6×106m 实际上，孤立导体是不存在的。设法设计一个导体组—电容器，其电场不受外界导体或带电体的影响。 例： +Q -Q A B + + + + + - - - - - 定义： 电容器的电容： 求C: 1)、平行板电容器 由板间场强： 电势差： S d A B RA l RB 板间场强： 两极间电势差： R1 R2 球壳间场强： 球壳间电势差： 讨论： 1）当 很小时， （平行板电容） 2）当 时， （孤立导体球电容） 1)、电容器的并联： 等效 + - U + - U 等效 - + + - A B C A B C + - 串联 并联 当电容器的耐压能力,电容量不被满足时，常用串并联使用来改善。 串联:可提高耐压能力。 并联:可提高电荷容量。 电介质的绝缘性能遭到破坏，称为击穿。 能承受的不被击穿的最大场强叫做击穿场强 通常在电容器中充满电介质，既增大了电容值，又提高了耐压能力。 1、对比电容器与弹簧 电能 Q=CU 电容C 电势差U 电荷Q 弹性能 F=kx 劲度k 形变x 弹力F 证明： 电容器充电时,某时刻极板带电q(t)，板间电势差： 再移动 ，外力作功： A B - - - + + + dq +q -q 外力作功转变为电容器的静电能。 平行板电容器： 继续移动电荷，直到极板带电为Q，外力作的总功为： 储能： 结果讨论： 电容器所具有的能量与极板间电场 有关， 所以能量与电场存在的空间有关， 电场携带了能量。 定义： 电场能量密度: 它虽然是从电容器间有均匀场而来但有其普遍性。 # 电场的能量: 例1： 求半径为R，带电量为Q的均匀带电球体的静电能。 解： R r dr 例2: 比较尺寸相同的均匀带电球体和均匀带电导体球的静电能的大小。 思路： 由于在球外它们的电场相同，而在导体球内的电场强度为零，所以导体球的静电能小些。 例3：如图，求两个均匀带电圆柱形球面的静电能。 (LR2 -R1) R1 R2 L 思路： 例： 如图, 球形电容器的内外半径分别R1和R2,所带电荷为+Q、- Q,在两球壳间充以电容率为? 的电介质,问此电容器存储的电场能量为多少? 球壳内电场能量密度： 解:球壳间场强: R2 R1 r dr 取体积元：dV=4?r2dr 电场的能量: 球形电容器：C=4?? R1R2 /(R2-R1) 方法二、 We=Q2/2C * 内容提纲 静电场中的导体 电容器和电容 静电场的能量和能量密度 静电场中的电介质、介质中的高斯定理 + + + + + + + + 带电导体 自由电子 1、 金属导体模型 一、 导体的静电平衡 2、 静电感应 中性 导体 +q - - - + + + +q + + + + + + + + 在外电场作用下，电荷在导体上重新分布，称静电感应。 3、静电平衡：导体内部和表面都没有电荷作定向移动。 场强： 电势： 导体是等势体；表面是等势面。 1、实心导体所带电荷只分布在表面，导体内无静电荷 3、导体表面附近一点的电场强度大小 空间所有电荷在表面附近某点 产生的合场强 2、空腔导体电荷(腔内无电荷)只分布在外表面上 ?尖端放电（电风实验） + + + + + + + + + + 三、 静电屏蔽 1. 金属空腔导体内部无带电体： 腔内和导体内部： 空心导体内的物体不