半导体3-2报告.pptVIP

二维电子气或二维空穴气：如在第二章中所述，量子化是指其能量的变化不是连续的，而是沿具有一定分立值的能级变化，图3.10示出了一些能级。这些能级取决于阱宽(d)、阱深(ΔEc、ΔEv)、电子的有效质量等。载流子在量子阱的运动，因在两维自由、一维受约束，称为二维电子气或二维空穴气。 超晶格：量子阱可分为单量子阱与多量子阱，后者为单量子阱的周期性多次重复。在多量子阱中，如果B层的厚度也减小，使每一个单层的厚度达到1~10nm ，这时就小于电子的平均自由程，那么相邻之间的电子波函数能够相互耦合，而不是相互孤立的，这种多势垒结构在垂直方向（z轴）以量子效应为主，这种结构称为超晶格，因为这是在晶体的晶格点阵势场外，加一个周期更长的势场。 Ec2 Ec1 Ev2 E2e E1e E3e Ev1 E1lh E3hh E2hh E1hh E2lh d Ga1-xAlxAs / GaAs / Ga1-xAlxAs 图3.10Ga1-xAlxAs/GaAs量子阱能带图 z x y 超晶格种类：每种材料层的厚度通常为晶格常数的2~20倍。而周期数可以作到几十、几百甚至上千层。如果周期较多，由于电子波函数的耦合，使原来的各单量子阱的能级展宽成能带。 超晶格材料可分为组分超晶格、掺杂超晶格、复型超晶格、应变层超晶格、短周期超晶格、非晶超晶格等。 考虑到异质结界面处能带的不连续性有不同情况，组分超晶格又分为I型