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DDR4时代将来临 DDR4与DDR3区别解析令人期盼已久的DDR4时代终于来临了！那么相比DDR3，都有了哪些比较重要的改进呢？星宏伟业跟大家一起来看一下：1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低　　很多电脑用户可能对于内存的内在改进不会有太多的关注，而外在的变化更容易被人发现，一直一来，内存的金手指都是直线型的，而在DDR4这一代，内存的金手指发生了明显的改变，那就是变得弯曲了，其实一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。其次，DDR4内存的金手指本身设计有较明显变化。金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm，笔记本电脑内存上使用的SO-DIMM DDR4内存有256个触点，SO-DIMM DDR3有204个触点，间距从0.6毫米缩减到了0.5毫米。第三，标准尺寸的DDR4内存在PCB、长度和高度上，也做出了一定调整。由于DDR4芯片封装方式的改变以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB层数相比DDR3更多，而整体尺寸也有了不同的变化，如上图。频率和带宽提升巨大　　 DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。在DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，所以推出了Bank Group的设计。Bank Group架构又是怎样的情况？具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组，包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组，这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作，从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group，相当于每次操作16bit的数据，变相地将内存预取值提高到了16n，如果是四个独立的Bank Group，则变相的预取值提高到了32n。容量剧增最高可达128GB、更低功耗更低电压也是DDR4特有的产品噱头。更低的电压：这是每一代DDR进化的必备要素，DDR4已经降至1.2V！威刚早些时候正式宣布了他们的首批DDR4内存产品，美光也不甘示弱，宣布其DDR4内存已经大规模投产，并在逐步提高产量。美光表示，目前量产的是4Gb DDR4内存颗粒，标准频率为2133MHz，并特别与Intel合作，针对将在下半年发布的下一代服务器平台Xeon E5-2600 v3进行了优化。美光还透露，他们将陆续推出符合JEDEC DDR4标准的完整产品线，涵盖RDIMM、LRDIMM、VLP RDIMM、UDIMM、SO-DIMM各种规格，ECC也可选有无，到今年第三季度初的时候还会增加NVDIMM。不管是威刚还是美光，作为他们的一手代理，星宏伟业表示货物妥妥等着你来！