第3章二极管及其基本电路.pptVIP

《模拟电子技术》;3.1 半导体的基本知识;3.1.2 半导体的共价键结构;3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用; 电子空穴对;3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用; 空穴的移动; “自由电子”和“空穴”总称“载流子”（载运电流的粒子。;3.1.4 杂质半导体;3.1.4 杂质半导体;3.1.4 杂质半导体;3.1.4 杂质半导体;3.2.1 载流子的漂移与扩散;3.2.2 PN结的形成;3.2.2 PN结的形成; 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。;3.2.3 PN结的单向导电性;3.2.3 PN结的单向导电性;3.2.3 PN结的单向导电性; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;3.2.3 PN结的单向导电性;3.2.4 PN结的反向击穿; 雪崩击穿：通过空间电荷区的电子和空穴，在电场作用下能量增大。与晶体原子发生碰撞，可使共价键中的电子激发形成电子空穴对，称碰撞电离，新产生的电子和空穴，在电场作用下，重新获得能量，又可通过碰撞，再产生电子空穴对，这就是载流子的倍增效应。使反向电流急剧增大。 齐纳击穿：在加有较高的反向电压下，PN结的空间电荷区中存在一个强电场，能破坏共价键将束缚电子分离出来造成电子空穴对，形成较大反向电流。;热击穿——不可逆;3.3.1 二极管的结构;3.3.1 二极管的结构;3.3.1 二极管的结构;3.3.1 二极管的结构;半导体二极管图片;3.3.2 二极管的V-I特性;3.3.2 二极管的V-I特性;3.3.2 二极管的V-I特性;3.3.3 二极管的主要参数;3.3.2 二极管的主要参数;3.3.2 二极管的主要参数;3.3.2 二极管的主要参数;3.3.2 二极管的主要参数;3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法;3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法;3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法;3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法;3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法;3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法;3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法;3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法;（4）开关电路;3.5.1 齐纳二极管;稳压二极管的参数：;3.5.1 齐纳二极管;3.5.1 齐纳二极管;3.5.1 齐纳二极管; 稳压过程： RL? ?VZ? ? IZ? ? IL? ?VZ 变化小； VI? ? VZ? ? IZ? ? IR? ? VR? ? VZ 变化小。;VI = Vimin IL=Ilmax 时： R 太大，IZ 会太小，管子不稳压。要求;3.5.1 齐纳二极管;3.5.4 光电子器件;3.5.4 光电子器件;3.5.4 光电子器件;3.5.4 光电子器件