第3章技术磁化2.ppt

相位角的起因 磁化落后磁场变化的现象，磁化的时间效应。 ?磁滞现象； ?涡流效应； ?磁导率的频散和吸收现象 ； ?磁后效 3.4.2 动态磁性参数 ? 复数磁导率 ； ? 截止频率fr； ? 品质因数Q； ? 损耗因子tg?； ? 乘积 复数磁导率 H用复数表示为： B用复数表示为： 复数磁导率 则为： 实部，它代表单位体积材料中的磁能存储 虚部，它代表单位体积材料在交变磁场中每磁化一周 的磁能损耗 复数磁导率的矢量图解 复数磁导率的矢量图解 +i –i 0 交流电桥法测量复数磁导率 环状样品的等效模拟电路 R L 环状铁磁样品 等效电路 根据欧姆定律 求出： 其中， 为环形线圈常数 截止频率fr f fr 0 0.5 1 磁谱曲线和截止频率fr 磁谱曲线上， 下降到初始值的一半或 达到极大值时所对应的频率称为该材料的截止频率fr。 磁谱是复数磁导率的实部 和虚部 随频率变化的关系曲线。 材料的工作频率f应小于截止频率fr，否则器件将不能正常工作 一般而言，材料的μi越低，其fr越高。因此，要提高材料的高频应用范围，降低材料的起始磁导率是一个有效手段。 品质因数Q 前图所示的等效电路中，电阻R产生损耗，电感L存储能量 单位时间在电感中损耗的能量为： 单位时间在电阻中能量的贮存为： Q定义为材料在交变磁化时，能量的贮存和能量的损耗之比： 又： 得出： 损耗因子tg? 称为材料的损耗因子，有： 其物理意义为：铁磁材料在交变磁化过程中能量的损耗与贮存之比 比较Q的定义，发现： 乘积 对于软磁材料，我们希望材料的Q值越高越好， 值越大越好，因此常用 和Q的乘积 表示软磁材料的技术指标。 当材料作为器件使用时，通常采用开气隙的方法来提高器件的Q值。开气隙以后，器件的Q值增加， 值却降低了，但乘积与开气隙前相同， 保持 为一个常量，即： 即为斯诺克公式。 3.4.3 磁损耗 磁损耗包括三个方面：涡流损耗、磁滞损耗和剩余损耗，即 低频、弱场（B0.01T）条件下，磁损耗由列格公式表示： 磁滞损耗 涡流损耗 剩余损耗 磁滞损耗 涡流损耗 剩余损耗 涡流损耗 涡流损耗We可表示为： 常数 材料厚度 电阻率 降低涡流损耗的方法： 1．降低材料厚度d； 2．提高材料电阻率ρ 涡流是在迅速变化的磁场中的导体内部产生的感生电流，它使线圈发热产生涡流损耗 磁滞损耗 由于磁滞现象而产生的功率损耗称为磁滞损耗 。 每磁化一周的磁滞损耗数值上等于磁滞回线的面积,即： 降低磁滞损耗的最好方法是减小铁磁材料的矫顽力HC 剩余损耗 剩余损耗是指除了涡流损耗和磁滞损耗以外的其它所有损耗。 在低频弱场中，剩余损耗主要是磁后效损耗。 在高频情况下，剩余损耗主要是尺寸共振损耗、畴壁共振损耗和自然共振损耗。 为了降低材料的剩余损耗，可以从下面两个方面入手： 一、减少扩散离子浓度，从而抑制离子扩散过程； 二、控制产品的成分和制备工艺，使之在应用频率和工作温度范围内避开损耗最大值。 磁导率的减落 有些铁磁样品经过动态磁中性化后，其起始磁导率μi随时间而降低，最后达到稳定值。这种现象称为磁导率的减落，它是磁后效的一种表现形式。 0 500 1000 1500 10 20 30 40 50 μi -24.2℃ -36.8℃ t(min) 碳钢的减落曲线 通常采用减落因子DF表示磁导率的减落程度： 其中μi1为经过时间t1所测得的起始磁导率； μi2为经过时间t2所测得的起始磁导率。 对于软磁材料，要求减落系数DF越小越好。 综合性能测量系统 第3章 技术磁化2 磁性材料中的基本现象； 磁畴结构； 技术磁化； 动态磁化 3.3 技术磁化 本节主要讲述下面几个方面： ?磁化曲线； ?磁化机制； ?可逆畴壁位移磁化过程； ?不可逆畴壁位移磁化过程； ?可逆磁畴转动磁化过程； ?不可逆磁畴转动磁化过程； ?静磁参数分析 磁化：材料从磁中性状态变到所有磁畴都取向外磁场方向的磁饱和状态的过程； 反磁化：从磁化饱和状态回到退磁状态的过程； 技术磁化：铁磁体在外场作用下通过磁畴转动和畴壁位移实现宏观磁化的过程； 内禀磁化：铁磁体在技术磁化饱和以后，强磁场使磁畴内磁化强度发生变化的过程。 几个基本概念 3.3.1 磁化曲线 磁中性 磁饱和 磁化过程 反磁化过程 内禀磁化 技术磁化 畴壁位移磁化 畴壁转动磁化 动态磁化 静态磁化 磁化过程 磁化曲线包含的五个特征部分： o M H a b c d (1) (2) (3) (4) (5) 磁化曲线 ?起始部分： M=ciH ?锐利部分（