微波ECR等离子体溅射沉积TiN薄膜的研究.pdf

1997 年 3 月 JOU RNAL O F WU HAN IN ST ITU T E O F CH EM ICAL T ECHNOLO GY M ar. 1997 微波 ECR 等离子体溅射沉积 T iN 薄膜的研究 汪建华 邬钦崇　任兆杏 (武汉化工学院) 　 ( 中国科学院等离子体物理研究所) 摘　要　用微波电子回旋共振(ECR ) 等离子体溅射法在常温下制备出优质的 T iN 薄膜 采用静 电探针技术, 对 ECR 等离子体进行了诊断, 研究了等离子体参数与装置运行参数之间的关系, 探 讨了等离子体参数对成膜工艺过程的影响 关键词　ECR 等离子体; 溅射; 氮化钛膜 分类号　 484; 53 O O 0　引　言 T iN 薄膜具有熔点高, 热稳定和抗蚀性很好, 并以其较高的硬度和低的电阻率, 受到人们 日益广泛的关注 在集成电路金属化系统中, T iN 薄膜是一种很好的扩散势垒材料, 并得到成 功的应用 T iN 膜还可以做成栅材料和互连材料 除此之外, 它的优良特性分别在高速工具 钢, 防腐蚀镀层以及金黄色泽等在装饰膜上得到广泛的应用[ 1, 2 ] 目前, 沉积 T iN 主要采用的涂层技术为化学气相沉积和多弧离子物理气相沉积 这些方 法把 T iN 膜应用到工具表面已经实现了商用 然而, 由于基体过高的温度和某些形状物体的 不均匀性及分步镀的不良性, 使其限制了在其它领域的应用 最近几年, 因大规模集成电路的应用而发展起来的微波ECR 等离子体镀膜技术, 突出地 显示出低温, 大面积均匀沉积特性[ 3, 4 ] 如 、 、 、 、 等 但用 溅射法 Si3N 4 A l2O 3 SiO 2 ZnO A lN ECR 沉积 T iN 薄膜的工作还未见报导 本文报道了采用 ECR 离子体溅射法在常温下沉积了 T iN 薄膜 研究了等离子体参数和 装置的运行参数之间的关系 探讨了工艺参数对沉积的 T iN 薄膜性质的影响 1　实验方法 11　装置和原理 ( ) ECR 等离子体溅射装置 见图 1 , 频率为 2. 45 GH z 的微波沿矩形波导传输, 经石英窗口进入等离 子体共振腔. 由外磁场提供一发散形磁场 在腔内, 微波能被电子在 ECR 层无碰撞地强烈吸收. 获得能 量的电子, 通过扩散不断与中性分子, 离子碰撞, 使 它们激发和电离, 从而产生高密度的等离子体. 与此 同时, 由电离产生的A r+ 在发散形磁场作用下向靶 区运动, 在靶区受 T i 靶上的负电位加速而轰击靶, 使靶上的 T i 粒子溅射出来. 在沉积室引入反应气体 图 1　ECR 等离子体沉积装置 收稿日期: 1995—11—03 　 国家自然科学基金赞助项目 82 武汉化工学院学报 第 19 卷 N 2 ,N 2 和溅射出来的 T i 的分子或原子, 在等离子体中受到电子和离子的碰撞, 也发生一定程 度的电离和激发 激发状态的氮和 T i 很容易化合反应生成 T iN , 沉积于基片表面 12　测　量 用自制的静电探针对系统的等离子体参数进行了诊断 用ph ilp s pw 1700 型X 射线衍射 仪(XRD ) 和JEN —200CX 透射电镜 (T EM ) 对薄膜进行了结构、形貌观察和电子衍射分析 膜的硬度和粘附力分别用HX —200 显微硬度计和划痕仪进行了测定 2　实验结果和讨论 2 1　放电特性 静电探针测量等离子体的典型参数如下: 密度( ) 范围是 1010 - 3 至 1011 - 3 , 电子温