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扩散炉-2013-2017年扩散炉行业市场深度调查及投资可行性分析报告(最新版)
扩散炉-2013-2017年扩散炉行业市场深度调查及投资可行性分析报告(最新版) 智鼎市场研究报告网() 2013-7-16 报告名称
扩散炉-2013-2017年扩散炉行业市场深度调查及投资可行性分析报告(最新版)
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扩散炉投资,扩散炉调研,扩散炉报告
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【报告描述】
进入21世纪,电子信息产业的持续高速发展激励和带动了集成电路产业的发展,这就为微电子产业发展提供了空前广阔的发展空间,也为半导体专用设备提供了巨大的市场潜力。 从微电子行业发展看,半导体器件设计向高密度、高集成度的方向迅速发展,对半导体集成电路新工艺、新技术、新设备提出了越来越高的要求。当前硅片的尺寸由直径150mm发展到300mm,超大规模集成电路(ULSI)的特征尺寸已从0.5μm、0.35μm发展到0.25μm,集成密度高达1千万个元件,而且到2010年ULSI特征线宽达到0.07μm,其芯片集成度达10亿个元件7在所有半导体专用设备中,扩散炉是集成电路生产线前工序的重要工艺设备之一,它的主要用途是对半导体进行掺杂,即在高温条件下将掺杂材料扩散入硅片,从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布,以便建立起不同的电特性区域。虽然某些工艺可以使用离子注入的方法进行掺杂,但是热扩散仍是最主要、最普遍的掺杂方法。硅的热氧化作用是使硅片表面在高温下与氧化剂发生反应,生长一层二氧化硅膜。氧化方法有干氧氧化和水汽氧化(含氢氧合成)两种,扩散炉是用这两种氧化方法制备氧化层的必备设备。扩散炉是半导体集成电路工艺的基础设备,它与半导体工艺互相依存、互相促进、共同发展。
发展我国半导体集成电路及设备产业也有许多有利因素:1.在今后相当一段时间我国有着非常大的半导体集成电路市场需求;2.在半导体设备研制经验方面已有几十年的历史,积累了许多经验;3.现在我们有更多的途径与国外进行技术交流,学习先进技术;4.我国制定了许多有利于高新技术发展的政策;5.入WTO加快了我们融入国际市场的步伐品。
发展我国半导体集成电路及设备产业也有许多不利因素:国外新旧设备对市场冲击较大;设备总体技术水平比较落后,与工艺结合不够紧密等不利因素。
经过多年的努力,扩散炉已经形成了国内市场,成了能够替代进口的产品,卧式扩散炉与国外差距已很小。随着中国半导体技术将蓬勃发展,立式扩散/氧化炉是8英寸深亚微米集成电路生产线的必备的重要设备之一,立式扩散/氧化炉将成为集成电路生产线主要设备。国外公司一直看着中国这个大市场,他们研究发展了立式扩散/氧化炉,现在能够提供适用于12英寸硅片工艺要求的产品,而且技术已经成熟。国内这方面研究起步较晚,加上各种因素,立式扩散/氧化炉目前与国外还有较大差距,一些设备制造单位正加快步伐,开发出能够适合市场需求的产品。
本研究咨询报告由智鼎国研咨询公司领衔撰写,在大量周密的市场调研基础上,主要依据了国家统计局、国家发展改革委员会、国务院发展研究中心、国家海关总署、国家商务部、中国电子工业协会、中国电子专用设备工业协会、全国及海外多种相关报刊杂志以及专业研究机构公布和提供的大量资料,对我国扩散炉行业的发展态势,包括市场供给与需求情况、进出口情况、扩散炉重点子行业、市场需求特点、行业竞争态势以及世界扩散炉市场发展状况等进行了分析,对扩散炉行业的市场需求及技术发展趋势进行了研判。报告数据丰富及时、图文并茂,还对国家相关产业政策进行了介绍和趋向研判,是扩散炉生产企业、科研单位、经销企业等单位准确了解当前中国扩散炉市场发展动态,把握企业定位和发展战略方向不可多得的决策参考资料,同时对银行信贷部门也具有极大的参考价值。
【报告目录】
第一部分 行业发展现状第一章 扩散炉行业发展概述第一节 行业界定一、行业经济特性二、主要细分行业三、产业链结构分析第二节 扩散炉行业发展成熟度一、行业发展周期分析二、行业中外市场成熟度对比三、行业及其主要子行业成熟度分析第三节 扩散炉市场特征分析一、市场规模二、产业关联度三、影响需求的关键因素四、国内和国际市场五、主要竞争因素六、生命周期第二章 全球扩散炉行业发展分析第一节 世界扩散炉行业发展分析一、2012-2013年全球扩散炉市场供给分析二、2012-2013年全球扩散炉市场需求分析三、2012-2013年全球主要扩散炉企业四、2012-2013年全球扩散炉主要品种第二节
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