晶体缺陷76786.doc

晶体的缺陷及其在半导体中的应用 内容摘要 缺陷对晶体来说是很难被消除的，缺陷的存在会影响晶体的某些性质。晶体中的缺陷包括点缺陷、线缺陷、面缺陷以及体缺陷。不管是哪种类型的缺陷，它都会对晶体材料的性质产生影响。人们可以根据实际需要，通过人为地向晶体引入缺陷来开发制备出对人们有用的材料。该文简要介绍了缺陷的类型、定义、运动以及一些缺陷的简单应用。 【关键词】 缺陷 运动 半导体 影响 Crystal defects and the application of defects in semiconductor Abstract Defects in the crystal is very difficult to be eliminated, the defect will affect some properties of the crystal. Crystal defects including point defects, line defects, surface defects and bulk defects. No matter what type of defect, it will affect some properties of the crystal . People can produce some crystal material which is useful by artificially introducing defects to the crystal according to actual needs. This paper briefly describes the type of defect, definitions, sports, and some applications of defects. 【Key Words】 Defects Movement Semiconductor Impact 晶体缺陷半导体的应用 图1 刃位错图 螺位错：晶体的某一部分相对于其余部分发生滑移，原子平面绕一根轴线盘旋上升，每绕轴线一周，原子面上升一个面间距，在中央轴线处形成的缺陷。 图2 螺位错图 3．面缺陷 （1）定义 晶体中点阵结构的二维缺陷叫做面缺陷。 （2）类型 层错是在结构为密堆积的晶体中，原子面的排列顺序不是按正常顺序排列所造成的面缺陷。层错又包括： 外层错 ——向原子面按正常顺序排列的密排结构中的任意位置加入一层原子，破坏了原来的正常结构，形成…efgefgef(e)gefg…的排列(e、f、g分别表示三个不同的排列面) 内层错 ——从排列顺序正常的密排结构中抽去一密排层，形成…efgefgfgefg…的排列。 孪生——晶体中一个晶面的两侧的排列对称…efgegfegfe…的排列【2】。 晶粒间界：晶粒之间的交界区域。 4．体缺陷 晶体中相对尺寸较大的三维方向上的缺陷被称为体缺陷。 二、缺陷在晶体中的运动 （一）点缺陷的运动 点缺陷在晶体中的运动是靠原子的扩散来进行的。扩散有四种机制，它们分别是空位、间隙、复合和易位等。 （二）线缺陷的运动 位错的滑移 ——如果把晶体沿着滑移面分成两半，由于受到外力的作用，一半发生极微小的滑动而另一半保持不动，使得位错线在晶体内部运动直至其运动到表面，这样的后果是晶体不可能恢复到以前的状态【3】。 图3 刃位错的滑移图 图4 螺位错的滑移图 位错的攀移 ——在热缺陷的作用下，位错在垂直于滑移方向的运动，这样的后果是使其中的空位或者是填隙原子的数目增加或者是减少。螺位错的伯格斯矢量与它位错线平行，晶体内部没有多出来的半原子面，所以它没有攀移运动。 图5 刃位错的攀移图 三、缺陷和晶体的性能 晶体的某些特殊的性能一般不是因为其完美的周期性结构而是因为它体内存在的某种缺陷。例如缺陷的存在可以使半导体的电阻发生变化，因此可以通过控制缺陷的量来改变它的导电性。如果人们能够合理的利用缺陷，就可以使材料的某种性能得到改善和提高，进而使材料得到广泛的应用。 （一）缺陷与电阻 1．晶体电阻 我们把电子所处的状态在其运动过程中被改变的几率用电阻来表征。事实上，原子（或离子）在晶体中的格点位置上不停地做热运动——振动，它以与电子发生相互作用的方式来改变电子的状态，这就是金属晶体具有电阻的原因。由于随着温度的升高，组成晶体的原子的热运动越剧烈，因此随着温度的升高，电阻会增大。而由于缺陷使得组成晶体的原子或离子不在其格点位置，从而使缺陷电阻存在于晶体【4】。 2．点缺陷电阻 缺陷可以从以下三个方面影响晶体的周期场。第一方面：一般说来存在缺陷