硅基SiN_xO_y∶C~+薄膜的光致发光.pdfVIP

　第 19 卷第 3 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 3　 V o l N o 　1998 年 3 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ar + 硅基 x y ∶ 薄膜的光致发光 SiN O C 1 廖良生　刘小兵 　熊祖洪　何　钧　侯晓远 ( 复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室　上海　200433) ( 1 长沙电力学院物理系　长沙　410077) 摘要　采用等离子体增强化学气相淀积法在单晶硅片表面淀积一层厚约 120nm 的 SiN O 薄 x y + 16 - 2 + 膜, 并在薄膜中注入C , 注入能量为 35keV , 剂量为 5 ×10 cm . 注 C 样品在 441 6nm 的 蓝光激发下, 可以产生峰值约为 550nm 的光致发光. 样品经 600 ℃退火后, 发光强度达到最大. : 7855, 7865, 6180 PACC J 在硅基发光材料的研究中, SiO 2 薄膜的发光特性逐渐引起了人们的重视. SiO 2 薄膜是 硅集成电路中常用的钝化膜和介质膜, 它的制备工艺与现行硅平面工艺完全兼容. 如果它具 有良好的发光特性, 那么硅基光电子集成就较为容易实现. 制备发光 SiO 2 薄膜的方法有多 种, 例如射频磁控溅射[ 1, 2 ] , 等离子体增强化学气相淀积(PECVD ) [ 3 ] , 离子注入[ 4～ 10 ] 等. 在热 氧化 2 薄膜中, 人们曾采用离子注入技术分别注入 + 或 + , 研究了它的发光特 SiO Ge Si [ 4～ 10 ] [ 4 ] + 性 . 例如, Sh im izuIw ayam a 等人 在硅基热氧化 SiO 2 薄膜上作高能量、大剂量 Si 注 ( ) ; [ 5 ] + 入, 获得了～ 2 0eV 和～ 17eV 的光致发光 PL M u tti 等人 通过 Si 注入, 观察到了 SiO 2 薄膜的蓝光发射; 鲍希茂等人[ 8～ 10 ] 在 2 薄膜中注入 + , 观察到了光致全色发光和电致 SiO Si